[發(fā)明專利]發(fā)光二極管及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010423790.X | 申請日： | 2020-05-19 |
| 公開（公告）號： | CN111969086A | 公開（公告）日： | 2020-11-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊智詠;王心盈;郭得山 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶元光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/38 | 分類號： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 陳小雯 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 發(fā)光二極管 及其 制造 方法 | ||
1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包含：
半導(dǎo)體疊層，依序疊有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、以及第二半導(dǎo)體層；
透明導(dǎo)電層，形成于該半導(dǎo)體疊層上，電連接該第二半導(dǎo)體層；
絕緣層，形成于該透明導(dǎo)電層上，包含第一開口；以及
電極層，形成于該絕緣層上，包含第一焊墊區(qū)以及第一延伸區(qū)；
其中，該第一延伸區(qū)通過該第一開口接觸該透明導(dǎo)電層，且該第一延伸區(qū)完全包圍該第一開口。
2.如權(quán)利要求1所述的該發(fā)光二極管，其中，該第一延伸區(qū)包含一部分位于該第一開口上，且該部分的寬度大于該第一開口的寬度。
3.如權(quán)利要求1所述的該發(fā)光二極管，還包含多個穿阱位于該半導(dǎo)體疊層及該透明導(dǎo)電層中，其中該些穿阱各包含側(cè)壁以及底部，其中該側(cè)壁包含該透明導(dǎo)電層的側(cè)壁、該第二半導(dǎo)體層的側(cè)壁、該發(fā)光層的側(cè)壁以及該第一半導(dǎo)體層的部分側(cè)壁，該底部包含該第一半導(dǎo)體層的上表面；
其中該第一焊盤區(qū)位于該些穿阱其中之一上，且該絕緣層覆蓋該其中之一穿阱。
4.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包含：
半導(dǎo)體疊層，依序疊有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、以及第二半導(dǎo)體層；
穿阱，位于該半導(dǎo)體疊層中，包含側(cè)壁以及底部，其中該穿阱曝露該第二半導(dǎo)體層、該發(fā)光層以及該第一半導(dǎo)體層的一部分；
透明導(dǎo)電層，形成于該半導(dǎo)體疊層上，電連接至該第二半導(dǎo)體層；
絕緣層，形成于該透明導(dǎo)電層上，包含第一開口；以及
電極層，形成于該絕緣層上，包含第一焊墊區(qū)以及第一延伸區(qū)；
其中，該第一延伸區(qū)通過該第一開口接觸該透明導(dǎo)電層，且該第一延伸區(qū)與該穿阱重疊，該第一延伸區(qū)不通過該穿阱與該第一半導(dǎo)體層電性接觸。
5.如權(quán)利要求4所述的該發(fā)光二極管，其中，該絕緣層還包含阻擋島被該第一開口所圍繞。
6.如權(quán)利要求5所述的該發(fā)光二極管，其中，該阻擋島覆蓋該穿阱且該第一延伸區(qū)延伸于該阻擋島上。
7.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包含有：
半導(dǎo)體疊層，依序疊有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層、以及第二半導(dǎo)體層；
透明導(dǎo)電層，形成于該半導(dǎo)體疊層上，電連接該第二半導(dǎo)體層；
絕緣層，形成于該透明導(dǎo)電層上，包含第一開口以及多個相互分離的阻擋島位于該第一開口中；以及
電極層，形成于該絕緣層上，包含第一焊墊區(qū)以及第一延伸區(qū)；
其中，該第一延伸區(qū)至少部分與該些阻擋島重疊，且該第一延伸區(qū)通過該第一開口接觸該透明導(dǎo)電層。
8.如權(quán)利要求7所述的該發(fā)光二極管，其中，該第一開口包含一部分位于該第一焊盤區(qū)下。
9.如權(quán)利要求7所述的該發(fā)光二極管，其中，該第一延伸區(qū)沿著該第一開口設(shè)置。
10.如權(quán)利要求1、4或7所述的該發(fā)光二極管，其中該透明導(dǎo)電層包含第二開口位于該第一焊盤區(qū)下，暴露該第二半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求1或7所述的該發(fā)光二極管，還包含：
穿阱，位于該半導(dǎo)體疊層中，暴露該第二半導(dǎo)體層、該發(fā)光層以及該第一半導(dǎo)體層的一部分；
該絕緣層還包含第三開口暴露該穿阱的該底部；以及
該電極層還包含第二焊盤區(qū)及第二延伸區(qū)，該第二延伸區(qū)通過該第三開口接觸該第一半導(dǎo)體層。
12.如權(quán)利要求1或7所述的該發(fā)光二極管，還包含：
多個穿阱，位于該半導(dǎo)體疊層中，暴露該第二半導(dǎo)體層、該發(fā)光層以及該第一半導(dǎo)體層的一部分；
該透明導(dǎo)電層包含第四開口暴露該些穿阱以及相鄰該穿阱之間的該第二半導(dǎo)體層。
13.如權(quán)利要求1、4或7所述的該發(fā)光二極管，其中該絕緣層還包含第五開口，且該第一焊墊區(qū)通過該第五開口電連接該第二半導(dǎo)體層。
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