[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202010421401.X
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111554682B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 金昶圭;張月;楊濤;盧一泓
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

本發明公開一種半導體器件及其制作方法，涉及半導體技術領域，以解決在對平坦化材料層進行平坦化的過程中，在多孔膜質的表面產生裂紋的問題。該半導體器件包括：襯底，襯底具有臺階狀表面，臺階狀表面包括高臺階面和低臺階面；材料層，材料層形成在低臺階面上；材料層位于低臺階面具有斜面；以及，覆蓋低臺階面、材料層和高臺階面的平坦化層。所述半導體器件的制作方法用于制作半導體器件。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種半導體器件及其制作方法。

背景技術

在動態隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory，縮寫為DRAM)的制作過程中，因單元區域(cell)形成有電容器，使得單元區域與核心區域(peripheral)之間具有較高的段差。為了后續的圖案化工藝，需要在單元區域和核心區域沉積氧化物，以形成平坦化材料層，并采用化學機械研磨工藝(Chemical Mechanical Polishing，縮寫為CMP)對平坦化材料層進行平坦化。

然而，在單元區域和核心區域沉積氧化物后，由于單元區域與核心區域之間存在較高的段差，且存在階梯覆蓋差異問題，易在對應的單元區域和核心區域的交界區域出現多孔膜質。在此基礎上，采用化學機械研磨工藝對平坦化材料層進行平坦化時，由于研磨墊與多孔膜質之間的摩擦，會在多孔膜質的表面產生裂紋，在進行后續制作工藝時會影響存儲器件的性能。

發明內容

本發明的目的在于提供一種半導體器件及其制作方法，用于避免在對平坦化材料層進行平坦化的過程中，在多孔膜質的表面產生裂紋的問題。

為了實現上述目的，本發明提供一種半導體器件。該半導體器件包括：

襯底，襯底具有臺階狀表面，臺階狀表面包括高臺階面和低臺階面；

材料層，材料層形成在低臺階面上；材料層位于低臺階面具有斜面；

以及，覆蓋低臺階面、材料層和高臺階面的平坦化層。

與現有技術相比，本發明提供的半導體器件中，襯底具有臺階狀表面，且臺階狀表面包括高臺階面和低臺階面。在低臺階面上形成材料層，并且該材料層在位于低臺階面處具有斜面。此時在高臺階面、材料層和低臺階面上形成平坦化材料層時，在斜面的作用下，高臺階面和低臺階面的交界處相比于現有技術更加平緩，提高了平坦化材料層的致密性，減少了平坦化材料層處產生的多孔膜質。此時對平坦化材料層進行平坦化處理，可以避免平坦化后的表面產生裂紋。由此可見，本發明提供的半導體器件可以避免在平坦化處理之后產生裂紋，進而提高存儲器件的性能。

本發明還提供一種半導體器件的制作方法。該半導體器件的制作方法包括：

提供一襯底，襯底具有臺階狀表面，臺階狀表面包括高臺階面和低臺階面；

在低臺階面上形成材料層；材料層位于低臺階面上具有斜面；

覆蓋低臺階面、材料層和高臺階面以均形成平坦化層。

與現有技術相比，本發明提供的半導體器件的制作方法的有益效果與上述技術方案所述的半導體器件的有益效果相同，此處不做贅述。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1示出了現有技術中由于高段差引起的在折疊部形成多孔膜質的示意圖；

圖2示出了現有技術中在多孔膜質表面經過平坦化形成裂紋的示意圖；

圖3示出了本發明實施例提供的半導體存儲器件結構示意圖；

圖4至圖8示出了本發明實施例提供的半導體存儲器件中的各個階段中半導體存儲器件結構的示意圖。