[發明專利]一種半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202010421401.X
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111554682B
• 公開（公告）日: 2023-03-21
• 發明（設計）人: 金昶圭;張月;楊濤;盧一泓
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00
• 代理公司: 北京知迪知識產權代理有限公司 11628
• 代理人: 王勝利

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底具有臺階狀表面，所述臺階狀表面包括高臺階面和低臺階面；

材料層，所述材料層形成在所述低臺階面上；所述材料層位于所述低臺階面具有斜面；所述材料層包括金屬籽晶膜以及形成在所述金屬籽晶膜上的金屬膜；

以及，覆蓋所述低臺階面、所述材料層和所述高臺階面的平坦化層。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述材料層還形成在高臺階面上；

所述材料層包括形成在所述高臺階面上的平面部；

以及形成在所述低臺階面上的斜面部。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述斜面部覆蓋所述低臺階面的范圍為

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述斜面與所述低臺階面夾角為60°～89.9°。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述材料層包括：

形成在所述高臺階面和低臺階面上的金屬籽晶膜；

以及形成在所述金屬籽晶膜上的金屬膜。

6.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述金屬膜包括單質金屬材料膜或合金材料膜。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述單質金屬材料膜包括銅材料膜、銀材料膜或金材料膜。

8.根據權利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括：所述高臺階面和低臺階面上還形成有半導體材料膜和阻擋材料膜；所述阻擋材料膜形成在所述半導體材料膜上；所述金屬籽晶膜形成在所述阻擋材料膜上。

9.根據權利要求1～8任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述平坦化層為氧化鋁平坦化層、二氧化硅平坦化層或氮化硅平坦化層。

10.根據權利要求1～8任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底具有單元區域和核心區域；所述高臺階面位于所述單元區域，所述低臺階面位于所述核心區域；

所述襯底包括位于所述單元區域的介電層和底部電極；所述材料層覆蓋所述核心區域和所述介電層。

11.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，所述襯底具有臺階狀表面，所述臺階狀表面包括高臺階面和低臺階面；

在所述低臺階面上形成材料層；所述材料層位于所述低臺階面上具有斜面；所述材料層包括金屬籽晶膜以及形成在所述金屬籽晶膜上的金屬膜；

覆蓋所述低臺階面、所述材料層和所述高臺階面以均形成平坦化層。

12.根據權利要求11所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述斜面與所述低臺階面夾角為60°～89.9°。

13.根據權利要求11所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述提供一襯底后，在所述低臺階面上形成材料層的同時，所述半導體器件的制作方法還包括：

在所述高臺階面上形成材料層；

所述材料層包括形成在所述高臺階面上的平面部；

以及形成在所述低臺階面上的斜面部。

14.根據權利要求13所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，所述在所述低臺階面上形成材料層，在所述高臺階面上形成材料層包括：

在所述高臺階面和低臺階面上形成金屬籽晶膜；

在所述低臺階面的所述金屬籽晶膜上形成掩膜圖案；所述掩膜圖案具有與所述高臺階面接觸的底切孔；

在未被所述掩膜圖案覆蓋的所述金屬籽晶膜上形成金屬膜；

去除所述掩膜圖案和所述掩膜圖案覆蓋的金屬籽晶膜。