[發明專利]一種形變測試貼片在審
| 申請號: | 202010419968.3 | 申請日: | 2020-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN111551124A | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發明(設計)人: | 不公告發明人 | 申請(專利權)人: | 西安柯萊特信息科技有限公司 |
| 主分類號: | G01B11/16 | 分類號: | G01B11/16 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市高新區高*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 形變 測試 | ||
本發明提供了一種形變測試貼片,在彈性層上設置第一光反射部和第二光反射部,在第一光反射部和第二光反射部上設置二硫化鉬層。使用時,彈性層固定在待測物體上,待測物體的形變改變第一光反射部和第二光反射部的反射光譜,通過該反射光譜確定待測物體的形變。一方面,反射光譜嚴重地依賴于第一光反射部中第一光反射單元間的距離或第二光反射部中第二光反射單元間的距離;另一方面,形變導致二硫化鉬層產生壓電效應,在二硫化鉬層兩端聚集電荷、產生電場,這些電場改變了第一光反射單元或第二光反射單元中的載流子濃度,改變了光的共振波長,更進一步地改變了反射光譜。因此,該形變測試貼片具有靈敏度高的優點。
技術領域
本發明涉及形變測試領域,具體涉及一種形變測試貼片。
背景技術
形變是指物體受到外力發生形狀變化。物體由于外因或內在缺陷,物質顆粒的相對位置發生改變。傳統的形變探測通過探測壓力實現,例如通過壓阻效應測量巖石的形變。傳統的測試方法靈敏度低。
發明內容
為解決以上問題,本發明提供了一種形變測試貼片,該形變測試貼片包括彈性層、第一光反射部、第二光反射部、二硫化鉬層。第一光反射部和第二光反射部固定在彈性層上,二硫化鉬層固定在第一光反射部和第二光反射部上。第一光反射部包括周期排列的第一光反射單元,第二光反射部包括周期排列的第二光反射單元。使用時,彈性層固定在待測物體上,待測物體形變改變第一光反射部和第二光反射部的反射光譜,通過該反射光譜確定待測物體的形變。
更進一步地,第一光反射單元或第二光反射單元為金屬微納顆粒、半導體材料顆粒。
更進一步地,第一光反射單元或第二光反射單元的形狀為方形、圓形、矩形。
更進一步地,第一光反射單元與第二光反射單元的材料或形狀不同。
更進一步地,在第一光反射單元間設有透明彈性材料,在第二光反射單元間設有透明彈性材料,透明彈性材料連接彈性層和二硫化鉬層。
更進一步地,第一光反射單元或第二光反射單元為由金屬顆粒和半導體顆粒構成的二聚體。
更進一步地,半導體顆粒為環形,金屬顆粒置于環形中。
更進一步地,金屬顆粒的高度小于半導體顆粒的高度。
本發明的有益效果:本發明提供了一種形變測試貼片,在彈性層上設置第一光反射部和第二光反射部,在第一光反射部和第二光反射部上設置二硫化鉬層。使用時,彈性層固定在待測物體上,待測物體的形變改變第一光反射部和第二光反射部的反射光譜,通過該反射光譜確定待測物體的形變。一方面,反射光譜嚴重地依賴于第一光反射部中第一光反射單元間的距離或第二光反射部中第二光反射單元間的距離;另一方面,形變導致二硫化鉬層產生壓電效應,在二硫化鉬層兩端聚集電荷、產生電場,這些電場改變了第一光反射單元或第二光反射單元中的載流子濃度,改變了光的共振波長,更進一步地改變了反射光譜。因此,該形變測試貼片具有靈敏度高的優點,在形變測試領域具有較好的應用前景。
以下將結合附圖對本發明做進一步詳細說明。
附圖說明
圖1是形變測試貼片的示意圖。
圖中:1、彈性層;2、第一光反射部;3、第二光反射部;4、二硫化鉬層;21、第一光反射單元;31、第二光反射單元。
具體實施方式
為進一步闡述本發明達成預定目的所采取的技術手段及功效,以下結合附圖及實施例對本發明的具體實施方式、結構特征及其功效,詳細說明如下。
實施例1
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