[發明專利]一種X波段80瓦功率放大器的制作工藝

在審

• 申請號: 202010419753.1
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111565518A
• 公開（公告）日: 2020-08-21
• 發明（設計）人: 汪倫源;費文軍;陳興盛;朱良凡;蔡慶剛;周二風
• 申請（專利權）人: 安徽華東光電技術研究所有限公司
• 主分類號: H05K3/28
• 分類號: H05K3/28;H05K3/30;H05K3/34;H03F1/00;G01S7/03
• 代理公司: 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107
• 代理人: 張永生

本發明公開了一種X波段80瓦功率放大器的制作工藝，包括以下步驟：采用羅杰斯5880射頻電路板燒結、80W功率放大器芯片共晶、阻容器件膠結、金絲鍵合以及將蓋板裝入電測試合格的80W功率放大器模塊主腔體完成封蓋；該X波段80瓦功率放大器的制作工藝設計合理，借助微電子組封裝工藝技術，可高效制作出穩定可靠的X波段80瓦功率放大器，制作的放大器具有散熱好、指標優異、穩定性高、體積小、可靠性高等的特點。

技術領域

本發明涉及微波模塊制作技術領域，尤其是涉及一種X波段80瓦功率放大器的制作工藝。

背景技術

隨著有源相控陣雷達和氣象雷達的快速發展，射頻單片集成電路已成為當前發展各種雷達、和通信系統的重要支柱，并廣泛應用于各種先進的艦用火控雷達、以及各種先進戰斗機的機載有源相控陣雷達中。

隨著雷達技術的飛速發展，X波段80W脈沖功率放大器在各個領域都得到了越來越廣泛的應用，比如機載火控雷達系統采用X波段80W脈沖功率放大器后可使其發射出較高的功率，以提高識別的精度增加戰斗機探測距離；通信測量設備用X波段80W脈沖功率放大器來增大發射通道功率；在X波段有源相控陣雷達中，X波段80W脈沖功率放大器是TR組件的主要組成單元，功率放大器可以較好地解決信號的輸出功率小和噪聲大的問題；但現有X波段80瓦功率放大器的制作工藝繁瑣，制作效率低，制作出的放大器穩定性和可靠性不佳。

發明內容

針對現有技術不足，本發明提供一種X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其制作工藝合理，可高效制作出穩定可靠的X波段80瓦功率放大器。

為了解決上述技術問題，本發明所采用的技術方案為：

該X波段80瓦功率放大器的制作工藝，包括以下步驟：

S1：射頻電路板燒結，具體包括如下步驟：

S11：將射頻電路板正面和80W功率放大器模塊主腔體的外壁全部貼高溫膠帶，貼膜保護；

S12：匹配錫膏：將焊膏均勻抹在射頻電路板背面；

S13：用酒精棉擦拭射頻電路板背面和8W功率放大器模塊主腔體中射頻電路板燒結位置，擦拭完成后晾干；在焊膏正反面涂覆一層助焊劑，將焊膏放置在腔體內均勻平鋪，將其貼在射頻電路板正面置上與8W功率放大器模塊主腔體內，按壓射頻電路板，使其與焊膏充分接觸；

S14：裝饋電絕緣子：用自動點膠機在饋電絕緣子金屬壁上涂覆焊膏裝入腔體內，饋電絕緣子釘頭一面置于功放模塊腔體正面，且與8W功率放大器模塊主腔體內平面齊平，再裝入射頻電路板燒結壓塊；

S15：將上一步完成的模塊放置在加熱平臺上燒結，待焊錫融化后迅速取下8W功率放大器模塊主腔體放置在散熱板上，按壓射頻電路板燒結工裝，按壓后取下射頻電路板燒結工裝，將射頻電路板上高溫膠帶撕除；

S2：80W功率放大器芯片共晶，具體包括如下步驟：

S21：金錫焊片匹配：在顯微鏡下，將金錫焊片切割成大小一致的焊片；

S22：將準備好的金錫焊片、載體和芯片放置在玻璃器皿內，用等離子清洗機進行清洗；

S23：芯片共晶：先進行功率放大芯片共晶，將載體放置在共晶臺的加熱臺上固定，將對應的載體的焊片均勻的平鋪在載體上，對焊片進行涂覆，夾取功率放大器在涂覆區進行共晶，夾取芯片電容共晶到芯片位置；

S24：燒結芯片：將涂覆焊錫的共晶后的80W功率放大組件裝入S1中完成裝配的80W功率放大器模塊主腔體內，放置在加熱平臺上，在顯微鏡下用鑷子進行摩擦焊方式進行燒結；

S3：阻容器件膠結，具體包括如下步驟：

S31：貼裝電阻：用氣動點膠機在電阻與射頻電路板接觸位置點涂導電膠，將電阻貼裝到電阻位置；