[發(fā)明專(zhuān)利]一種X波段80瓦功率放大器的制作工藝在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010419753.1 | 申請(qǐng)日： | 2020-05-18 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111565518A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-08-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 汪倫源;費(fèi)文軍;陳興盛;朱良凡;蔡慶剛;周二風(fēng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 安徽華東光電技術(shù)研究所有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H05K3/28 | 分類(lèi)號(hào)： | H05K3/28;H05K3/30;H05K3/34;H03F1/00;G01S7/03 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 34107 | 代理人： | 張永生 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖*** | 國(guó)省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 波段 80 功率放大器 制作 工藝 | ||
1.一種X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其特征在于：所述制作工藝包括以下步驟：
S1：射頻電路板燒結(jié)，具體包括如下步驟：
S11：將射頻電路板正面和80W功率放大器模塊主腔體的外壁全部貼高溫膠帶，貼膜保護(hù)；
S12：匹配錫膏：將焊膏均勻抹在射頻電路板背面；
S13：用酒精棉擦拭射頻電路板背面和8W功率放大器模塊主腔體中射頻電路板燒結(jié)位置，擦拭完成后晾干；在焊膏正反面涂覆一層助焊劑，將焊膏放置在腔體內(nèi)均勻平鋪，將其貼在射頻電路板正面置上與8W功率放大器模塊主腔體內(nèi)，按壓射頻電路板，使其與焊膏充分接觸；
S14：裝饋電絕緣子：用自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)在饋電絕緣子金屬壁上涂覆焊膏裝入腔體內(nèi)，饋電絕緣子釘頭一面置于功放模塊腔體正面，且與8W功率放大器模塊主腔體內(nèi)平面齊平，再裝入射頻電路板燒結(jié)壓塊；
S15：將上一步完成的模塊放置在加熱平臺(tái)上燒結(jié)，待焊錫融化后迅速取下8W功率放大器模塊主腔體放置在散熱板上，按壓射頻電路板燒結(jié)工裝，按壓后取下射頻電路板燒結(jié)工裝，將射頻電路板上高溫膠帶撕除；
S2：80W功率放大器芯片共晶，具體包括如下步驟：
S21：金錫焊片匹配：在顯微鏡下，將金錫焊片切割成大小一致的焊片；
S22：將準(zhǔn)備好的金錫焊片、載體和芯片放置在玻璃器皿內(nèi)，用等離子清洗機(jī)進(jìn)行清洗；
S23：芯片共晶：先進(jìn)行功率放大芯片共晶，將載體放置在共晶臺(tái)的加熱臺(tái)上固定，將對(duì)應(yīng)的載體的焊片均勻的平鋪在載體上，對(duì)焊片進(jìn)行涂覆，夾取功率放大器在涂覆區(qū)進(jìn)行共晶，夾取芯片電容共晶到芯片位置；
S24：燒結(jié)芯片：將涂覆焊錫的共晶后的80W功率放大組件裝入S1中完成裝配的80W功率放大器模塊主腔體內(nèi)，放置在加熱平臺(tái)上，在顯微鏡下用鑷子進(jìn)行摩擦焊方式進(jìn)行燒結(jié)；
S3：阻容器件膠結(jié)，具體包括如下步驟：
S31：貼裝電阻：用氣動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)在電阻與射頻電路板接觸位置點(diǎn)涂導(dǎo)電膠，將電阻貼裝到電阻位置；
S32：貼裝電容：用氣動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)在電容與射頻電路板接觸位置點(diǎn)涂導(dǎo)電膠，將個(gè)電容貼裝到電容位置；
S33：將貼有電阻和電容的80W功率放大器模塊主腔體放置在烘箱上烘；從烘箱取下80W功率放大器模塊主腔體放置在散熱塊上散熱至冷卻；
S34：將上一步膠結(jié)電阻和電容的80W功率放大器模塊主腔體進(jìn)行清洗，清洗時(shí)80W功率放大器模塊主腔體正面朝下，操作中避免絕緣子變形、破損；
S4：金絲鍵合：功率放大器供電焊盤(pán)與微波電路板之間處使用金絲鍵合，其余芯片電容的焊盤(pán)與射頻電路板之間使用鍥型焊；
S5：封蓋。
2.如權(quán)利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其特征在于：所述射頻電路板為羅杰斯5880型號(hào)射頻電路板。
3.如權(quán)利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其特征在于：所述S12步驟中，使用工具刀將215-220℃焊膏均勻抹在射頻電路板背面，并尺刮勻在射頻電路板背面。
4.如權(quán)利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其特征在于：所述S15步驟中，將上一步完成的模塊放置在230±5℃加熱平臺(tái)上燒結(jié)，燒結(jié)時(shí)間2-3min，待焊錫融化后迅速取下8W功率放大器模塊主腔體放置在散熱板上，用鏟子按壓射頻電路板燒結(jié)工裝，按壓10-20s后取下射頻電路板燒結(jié)工裝，用鏟子將射頻電路板上高溫膠帶撕除，按壓時(shí)力道均勻。
5.如權(quán)利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其特征在于：所述S21步驟中，金錫焊片為Au80Sn20金錫焊片，金錫焊片厚度控制在0.018-0.022mm。
6.如權(quán)利要求1所述X波段80瓦功率放大器的制作工藝，其特征在于：所述S23步驟中，使用高精度鑷子夾取載體放置在共晶臺(tái)的加熱臺(tái)上固定，加熱臺(tái)共晶臺(tái)溫度為335℃±5℃；。
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