[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010418832.0
• 申請(qǐng)日: 2020-05-18
• 公開（公告）號(hào): CN111613624B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周思思
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

本發(fā)明提供一種陣列基板及其制備方法，所述陣列基板包括襯底基板、第一走線、第二走線以及第三走線和第四走線。本申請(qǐng)通過在第一走線朝向第二走線的一側(cè)設(shè)置第一凹槽以及在第二走線朝向第一走線的一側(cè)設(shè)置第二凹槽，且第一凹槽和第二凹槽相對(duì)設(shè)置，其中，第一凹槽和第二凹槽用以加寬第一走線和第二走線之間的間距區(qū)。當(dāng)?shù)谌呔€和第四走線分別跨過第一走線和第二走線時(shí)，第三走線和第四走線之間的間距區(qū)對(duì)應(yīng)跨過第一凹槽和第二凹槽所在區(qū)域，使得第三走線和第四走線彼此分離互不連接，且不會(huì)發(fā)生短路，提高陣列基板的良率。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)

近年來，隨著顯示技術(shù)的進(jìn)步，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingDiode，OLED)顯示器是當(dāng)今平板顯示器研究領(lǐng)域的熱點(diǎn)之一，越來越多的有源矩陣有機(jī)發(fā)光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)顯示面板進(jìn)入市場(chǎng)，相對(duì)于傳統(tǒng)的薄膜晶體管液晶顯示面板(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，TFTLCD)，AMOLED具有更快的反應(yīng)速度，更高的對(duì)比度以及更廣大的視角。且隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，越來越多的電子設(shè)備中開始使用輕薄且抗沖擊特性表現(xiàn)良好的可彎折柔性O(shè)LED顯示屏。

如圖1和圖2所示，陣列基板從下至上依次包括PI基板101、緩沖層102、第一絕緣層103、第一金屬層104、第二絕緣層105、第二金屬層106、介電層107以及第三金屬層108。其中，第一金屬層104圖案化形成掃描線走線XSCAN，第二金屬層106圖案化形成復(fù)位線VI，第三金屬層108圖案化形成數(shù)據(jù)線Data和電源電壓線VDD。當(dāng)像素尺寸較小或者為了增加像素的透過率時(shí)，會(huì)使掃描線走線XSCAN和復(fù)位線VI的間距拉近。當(dāng)Data和VDD在跨越XSCAN和VI時(shí)存在金屬的段差。因此，在制作Data和電源VDD時(shí)，由于凹陷在Data和VDD之間的光刻膠曝光不充分，而導(dǎo)致data和VDD之間存在殘留金屬區(qū)域M，該殘留金屬區(qū)域M會(huì)導(dǎo)致data和VDD發(fā)生短路，從而影響產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，提供一種陣列基板及其制備方法，以解決金屬層在形成Data和電源電壓線VDD時(shí)，Data和VDD之間容易存在殘留金屬，該殘留金屬導(dǎo)致data和VDD發(fā)生短路的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種陣列基板，包括：襯底基板；第一走線，設(shè)于所述襯底基板的一面；第二走線，設(shè)于所述第一走線上方且與所述第一走線相錯(cuò)且平行，在平行于所述襯底基板表面方向，相錯(cuò)的所述第一走線和所述第二走線之間具有第一間距區(qū)；所述第一走線朝向第二走線的一側(cè)具有第一凹槽，所述第二走線朝向所述第一走線的一側(cè)具有第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相對(duì)設(shè)置；以及第三走線和第四走線，同層設(shè)置且相互平行，并位于所述第二走線的上方；所述第三走線和所述第四走線之間具有一第二間距區(qū)；所述第三走線和所述第四走線分別跨過所述第一走線和所述第二走線，且所述第二間距區(qū)對(duì)應(yīng)跨過所述第一凹槽和所述第二凹槽所在區(qū)域。

進(jìn)一步地，所述第一凹槽和所述第二凹槽用以加寬所述第一間距區(qū)，當(dāng)所述第一間距區(qū)增大時(shí)，所述第二間距區(qū)隨著所述第一間距區(qū)增大而增大，所述第三走線在所述襯底基板上的投影和所述第四走線在所述襯底基板上的投影彼此分離。

進(jìn)一步地，所述第一凹槽和第二凹槽的底壁呈鋸齒狀。

進(jìn)一步地，所述襯底基板包括：PI基板；緩沖層，設(shè)于所述PI基板上；以及第一絕緣層，設(shè)于所述緩沖層上。

進(jìn)一步地，所述第一走線設(shè)于所述第一絕緣層上；

第二絕緣層，設(shè)于所述第一絕緣層及所述第一走線上，所述第二絕緣層在所述第一走線對(duì)應(yīng)的位置具有一第一凸起；

所述第二走線設(shè)于所述第二絕緣層上，所述第二走線與所述第一凸起之間具有第一溝槽；