[發明專利]陣列基板及其制備方法

有效

• 申請號: 202010418832.0
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111613624B
• 公開（公告）日: 2022-08-05
• 發明（設計）人: 周思思
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

襯底基板，包括第一絕緣層；

第一走線，設于所述第一絕緣層上；

第二走線，設于所述第一走線上方且與所述第一走線相錯且平行，在平行于所述襯底基板表面方向，相錯的所述第一走線和所述第二走線之間具有第一間距區；所述第一走線朝向第二走線的一側具有第一凹槽，所述第二走線朝向所述第一走線的一側具有第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽相對設置；以及

第三走線和第四走線，同層設置且相互平行，并位于所述第二走線的上方；所述第三走線和所述第四走線之間具有一第二間距區；其中，所述第三走線和所述第四走線分別跨過所述第一走線和所述第二走線，且所述第二間距區對應跨過所述第一凹槽和所述第二凹槽所在區域；

第二絕緣層，設于所述第一絕緣層及所述第一走線上，所述第二絕緣層在所述第一走線對應的位置具有一第一凸起；

所述第二走線設于所述第二絕緣層上，所述第二走線與所述第一凸起之間具有第一溝槽；

介電層，設于所述第二絕緣層及所述第二走線上，所述介電層在所述第二走線對應的位置具有第二凸起，所述介電層在所述第一凸起對應的位置具有第三凸起，所述第二凸起與所述第三凸起之間具有第二溝槽，所述第二溝槽在所述第二絕緣層上的投影完全落入所述第一溝槽內；

所述第三走線和所述第四走線設于所述介電層上，所述第三走線或所述第四走線在所述第二凸起對應的位置具有第四凸起，所述第三走線或所述第四走線在所述第三凸起對應的位置具有第五凸起，所述第四凸起與所述第五凸起之間具有第三溝槽，所述第三溝槽在所述介電層上的投影完全落入所述第二溝槽內。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一凹槽和所述第二凹槽用以加寬所述第一間距區，當所述第一間距區增大時，所述第二間距區隨著所述第一間距區增大而增大，所述第三走線在所述襯底基板上的投影和所述第四走線在所述襯底基板上的投影彼此分離。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，

所述第一凹槽和第二凹槽的底壁呈鋸齒狀。

4.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述襯底基板包括：

PI基板；

緩沖層，設于所述PI基板上；以及

所述第一絕緣層設于所述緩沖層上。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，

當加寬所述第二溝槽的寬度時，所述第一走線與所述第二走線的第一間距區的間距增大，并使得沉積金屬材料形成所述第三走線與所述第四走線時，無金屬材料殘留在所述第三溝槽內。