[發明專利]基片處理方法和基片處理裝置在審
| 申請號： | 202010418111.X | 申請日： | 2020-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN112002654A | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發明（設計）人： | 竹口博史;筱原和義;大塚貴久;李水根 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人： | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 處理 方法 裝置 | ||
本發明提供基片處理方法和基片處理裝置。本發明的一個方式的基片處理方法包括第一清洗步驟和第二清洗步驟。第一清洗步驟用第一清洗液清洗基片。第二清洗步驟在第一清洗步驟后，用與第一清洗液相比清潔度低的第二清洗液清洗基片。本發明在使用清潔度低的清洗液的情況下，也能夠從基片充分地除去顆粒。
技術領域
本發明涉及基片處理方法和基片處理裝置。
背景技術
一直以來，已知用清洗液對半導體晶片(以下也稱為晶片。)等的基片進行清洗的技術(參照專利文獻1)。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2007-258462號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
本發明提供在使用清潔度低的清洗液的情況下，也能夠從基片充分除去顆粒的技術。
用于解決技術問題的技術方案
本發明的一個方式的基片處理方法包括第一清洗步驟和第二清洗步驟。第一清洗步驟用第一清洗液清洗基片。第二清洗步驟在上述第一清洗步驟后，用與上述第一清洗液相比清潔度低的第二清洗液清洗上述基片。
發明效果
依照本發明，在使用清潔度低的清洗液的情況下，也能夠從基片充分除去顆粒。
附圖說明
圖1是表示實施方式的基片處理系統的概略構成的示意圖。
圖2是表示實施方式的處理單元的構成例的示意圖。
圖3是表示實施方式的基片處理系統的配管構成的示意圖。
圖4是用于說明實施方式的基片處理的步驟的圖。
圖5是表示實施方式的基片處理中的回收液和新液的供給時刻導致的差異的圖。
圖6是表示實施方式的沖洗處理中的DIW與功能水的差異的圖。
圖7是表示實施方式的過濾處理中的回收液的溫度的差異的圖。
圖8是用于說明實施方式的變形例1的基片處理的步驟的圖。
圖9是用于說明實施方式的變形例2的基片處理的步驟的圖。
圖10是用于說明實施方式的變形例3的基片處理的步驟的圖。
圖11是表示實施方式的變形例4的基片處理系統的配管構成的示意圖。
圖12是用于說明實施方式的變形例4的基片處理的步驟的圖。
圖13是表示實施方式的變形例5的基片處理系統的配管構成的示意圖。
圖14是用于說明實施方式的變形例5的基片處理的步驟的圖。
圖15是表示實施方式的變形例6的基片處理系統的配管構成的示意圖。
圖16是用于說明實施方式的變形例6的基片處理的步驟的圖。
圖17是表示實施方式的基片處理系統執行的基片處理的步驟的流程圖。
附圖標記說明
W 晶片(基片的一例)
1 基片處理系統(基片處理裝置的一例)
5 第一清洗液供給部
6 清洗液回收部
7 第二清洗液供給部
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
