[發(fā)明專利]基片處理方法和基片處理裝置

在審

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• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN112002654A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發(fā)明（設計）人: 竹口博史;筱原和義;大塚貴久;李水根
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種基片處理方法，其特征在于，包括：

用第一清洗液清洗基片的第一清洗步驟；和

在所述第一清洗步驟后，用與所述第一清洗液相比清潔度低的第二清洗液清洗所述基片的第二清洗步驟。

2.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述第一清洗液是未使用的清洗液，

所述第二清洗液是已使用的清洗液。

3.如權(quán)利要求2所述的基片處理方法，其特征在于：

所述第二清洗液是在使用后在比室溫低的溫度下進行了過濾的清洗液。

4.如權(quán)利要求2或者3所述的基片處理方法，其特征在于：

所述第一清洗液是在未使用的狀態(tài)下在比室溫低的溫度下進行了過濾的清洗液。

5.如權(quán)利要求1所述的基片處理方法，其特征在于：

所述第一清洗液是在使用后在比室溫低的溫度下進行了過濾的清洗液，

所述第二清洗液是在使用后在室溫以上的溫度下進行了過濾的清洗液。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的基片處理方法，其特征在于，還包括：

在第二清洗步驟后，用功能水沖洗所述基片的沖洗步驟。

7.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述第一清洗步驟中，用室溫以上的溫度的所述第一清洗液清洗所述基片，

在所述第二清洗步驟中，用比室溫低的溫度的所述第二清洗液清洗所述基片。

8.如權(quán)利要求1～6中任一項所述的基片處理方法，其特征在于：

在所述第一清洗步驟中，用比室溫低的溫度的所述第一清洗液清洗所述基片，

在所述第二清洗步驟中，用室溫以上的溫度的所述第二清洗液清洗所述基片。

9.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

對基片進行處理的基片處理部；

對所述基片處理部供給未使用的清洗液的第一清洗液供給部；

回收由所述基片處理部使用過的清洗液的清洗液回收部；和

將由所述清洗液回收部回收的已使用的清洗液供給到所述基片處理部的第二清洗液供給部。

10.如權(quán)利要求9所述的基片處理裝置，其特征在于：

還包括控制所述基片處理部、所述第一清洗液供給部、所述清洗液回收部和所述第二清洗液供給部的控制部，

所述控制部在從所述第一清洗液供給部供給未使用的清洗液后，從所述第二清洗液供給部供給已使用的清洗液。

11.如權(quán)利要求9或10所述的基片處理裝置，其特征在于：

所述清洗液回收部具有過濾所回收的清洗液的過濾器，

所述過濾器在比室溫低的溫度下過濾所回收的清洗液。