[發明專利]模制芯片的制造方法

在審

• 申請號: 202010418048.X
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN111987004A
• 公開（公告）日: 2020-11-24
• 發明（設計）人: 鈴木克彥
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供模制芯片的制造方法，能夠確保器件的電連接。模制芯片的制造方法包含如下的步驟：準備步驟，將成列的多個器件芯片的器件面粘貼在耐熱性的保護部件上而形成由多個器件芯片構成的芯片組；模制步驟，在實施了準備步驟之后，向器件芯片的背面側以及各器件芯片之間的間隙提供模制樹脂，利用模制樹脂將器件芯片的背面和側面包覆而形成模制晶片；以及模制分割步驟，在實施了模制步驟之后，根據對模制晶片的正面側進行拍攝而得的圖像，沿著填充有模制樹脂的間隙的中央而將模制晶片分割成模制芯片。

技術領域

本發明涉及模制芯片的制造方法。

背景技術

為了保護半導體器件芯片免受外部環境變化的影響，已知有利用模制樹脂進行包覆而進行保護的技術。例如有BGA(Ball Grid Array，焊球陣列封裝)、CSP(ChipSizePackage，芯片尺寸封裝)等，但這些技術中，將所搭載的基板和芯片利用線進行連接，因此完成的封裝會比芯片大很多。因此，發明了WL-CSP(Wafer level ChipSize Package，晶片級芯片尺寸封裝)的封裝，但該技術利用模制樹脂將具有6個面的芯片的僅1個面包覆，因此保護不充分。

另外，發明了如下的方法：在晶片的間隔道(分割預定線)上形成槽，在晶片的正面和槽中填充模制樹脂，然后對背面進行磨削，將間隔道的模制樹脂的中央切割，將芯片的5個面利用模制樹脂進行模制(例如參照專利文獻1)。

專利文獻1：日本特開2017-022280號公報

但是，專利文獻1所示的技術具有如下的課題：在對器件面側進行了模制之后，與器件的電極連接的凸塊被模制樹脂包覆，會抑制電連接。

發明內容

由此，本發明的目的在于提供能夠確保器件的電連接的模制芯片的制造方法。

根據本發明，提供模制芯片的制造方法，其中，該模制芯片的制造方法具有如下的步驟：準備步驟，將成列的多個器件芯片的器件面粘貼在耐熱性的保護部件上而形成由多個器件芯片構成的芯片組；模制步驟，在實施了該準備步驟之后，向器件芯片的背面側以及各器件芯片之間的間隙提供模制樹脂，利用模制樹脂將器件芯片的背面和側面包覆而形成模制晶片；以及模制分割步驟，在實施了該模制步驟之后，根據對模制晶片的正面側進行拍攝而得的圖像，沿著填充有模制樹脂的該間隙的中央而將模制晶片分割成模制芯片。

優選該準備步驟包含如下的步驟：槽形成步驟，對在由分割預定線劃分的正面的多個各區域內形成有器件的晶片沿著正面的該分割預定線形成深度超過完工厚度的槽；保護部件粘貼步驟，在形成有該槽的晶片的正面上粘貼該保護部件；以及磨削步驟，對晶片的背面進行磨削而使該槽露出并且將晶片分割成器件芯片。

優選該準備步驟包含如下的步驟：薄化步驟，對在由分割預定線劃分的正面的多個區域內形成有器件的晶片的背面進行磨削而薄化至完工厚度；以及分割步驟，將薄化后的晶片沿著該分割預定線進行分割。

優選所述模制芯片的制造方法還具有如下的擴展步驟：在實施了該準備步驟之后且在實施該模制步驟之前，將該保護部件沿面方向進行擴展，將器件芯片彼此的距離擴展。

優選晶片的外周側面形成為圓弧狀，在該準備步驟中包含沿著晶片的外周緣將晶片正面側的該圓弧狀的部分去除的邊緣修整步驟，在該模制步驟中，利用模具將提供至晶片背面的模制樹脂朝向晶片背面按壓。

優選所述模制芯片的制造方法還具有如下的保護部件剝離步驟：在實施了該模制步驟之后，在模制晶片的背面側粘貼粘接帶而將保護部件從模制晶片的正面側剝離，在該模制分割步驟中，從該模制晶片的正面側進行分割加工。

本發明的模制芯片的制造方法起到能夠確保器件的電連接的效果。

附圖說明

圖1是示出通過第1實施方式的模制芯片的制造方法制造的模制芯片的一例的立體圖。