[發明專利]模制芯片的制造方法在審
| 申請號: | 202010418048.X | 申請日: | 2020-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN111987004A | 公開(公告)日: | 2020-11-24 |
| 發明(設計)人: | 鈴木克彥 | 申請(專利權)人: | 株式會社迪思科 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 喬婉;于靖帥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 制造 方法 | ||
1.一種模制芯片的制造方法,其中,
該模制芯片的制造方法具有如下的步驟:
準備步驟,將成列的多個器件芯片的器件面粘貼在耐熱性的保護部件上而形成由多個器件芯片構成的芯片組;
模制步驟,在實施了該準備步驟之后,向器件芯片的背面側以及各器件芯片之間的間隙提供模制樹脂,利用模制樹脂將器件芯片的背面和側面包覆而形成模制晶片;以及
模制分割步驟,在實施了該模制步驟之后,根據對模制晶片的正面側進行拍攝而得的圖像,沿著填充有模制樹脂的該間隙的中央而將模制晶片分割成模制芯片。
2.根據權利要求1所述的模制芯片的制造方法,其中,
在該準備步驟中包含如下的步驟:
槽形成步驟,對在由分割預定線劃分的正面的多個各區域內形成有器件的晶片沿著正面的該分割預定線形成深度超過完工厚度的槽;
保護部件粘貼步驟,在形成有該槽的晶片的正面上粘貼該保護部件;以及
磨削步驟,對晶片的背面進行磨削而使該槽露出并且將晶片分割成器件芯片。
3.根據權利要求1所述的模制芯片的制造方法,其中,
在該準備步驟中包含如下的步驟:
薄化步驟,對在由分割預定線劃分的正面的多個區域內形成有器件的晶片的背面進行磨削而薄化至完工厚度;以及
分割步驟,將薄化后的晶片沿著該分割預定線進行分割。
4.根據權利要求1所述的模制芯片的制造方法,其中,
該模制芯片的制造方法還具有如下的擴展步驟:在實施了該準備步驟之后且在實施該模制步驟之前,將該保護部件沿面方向進行擴展,將器件芯片彼此的距離擴展。
5.根據權利要求1所述的模制芯片的制造方法,其中,
晶片的外周側面形成為圓弧狀,該準備步驟包含沿著晶片的外周緣將晶片正面側的該圓弧狀的部分去除的邊緣修整步驟,
在該模制步驟中,利用模具將提供至晶片背面的模制樹脂朝向晶片背面按壓。
6.根據權利要求1所述的模制芯片的制造方法,其中,
該模制芯片的制造方法還具有如下的保護部件剝離步驟:在實施了該模制步驟之后,在模制晶片的背面側粘貼粘接帶而將保護部件從模制晶片的正面側剝離,
在該模制分割步驟中,從該模制晶片的正面側進行分割加工。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





