[發明專利]甲磺酸卡莫司他及其溶劑化物的晶型和它們的制備方法和用途在審
| 申請號: | 202010418023.X | 申請日: | 2020-05-18 |
| 公開(公告)號: | CN113683537A | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 穆帥;李樹軍;雷永勝;陳蔚;閆少杰;王浩;張慕軍;周學福;潘毅;陳華;劉福景;孫靖;湯立達 | 申請(專利權)人: | 天津藥物研究院有限公司;天津泰普制藥有限公司 |
| 主分類號: | C07C309/04 | 分類號: | C07C309/04;C07C303/32;C07C279/18;C07C277/08;A61K31/245;A61P1/18;A61P1/04;A61P31/14 |
| 代理公司: | 北京泛華偉業知識產權代理有限公司 11280 | 代理人: | 郭廣迅;趙巖 |
| 地址: | 300451 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 甲磺酸卡莫司 及其 溶劑 它們 制備 方法 用途 | ||
1.一種4-(4-胍基苯甲酰氧基)苯乙酸[2-(二甲基氨基)-2-氧代乙基]酯甲磺酸鹽的晶型,其化學結構式如式(I)所示:
其特征在于,使用Cu-Kα輻射,以2θ±0.2角度表示的X-射線粉末衍射在9.52、12.16、16.43、17.10、19.91、20.40、20.68和21.60處具有衍射峰,所述衍射峰的誤差為±0.2。
2.根據權利要求1所述的晶型,其X-射線粉末衍射圖譜具有如下特征衍射角2θ、晶面間距d和相對強度,其中2θ的誤差為0.2:
優選地,所述晶型的X-射線粉末衍射圖譜如圖3所示。
3.一種式(I)所示的4-(4-胍基苯甲酰氧基)苯乙酸[2-(二甲基氨基)-2-氧代乙基]酯甲磺酸鹽的水合物晶型,
其特征在于,使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射在9.56、12.14、16.44、17.10、19.92、20.39、20.67和21.60處具有衍射峰,所述衍射峰的誤差為±0.2。
4.根據權利要求3所述的水合物晶型,其X-射線粉末衍射圖譜具有如下特征衍射角2θ、晶面間距d和相對強度,其中2θ的誤差為0.2:
優選地,所述水合物晶型的X-射線粉末衍射圖譜如圖6所示。
5.一種式(I)所示的4-(4-胍基苯甲酰氧基)苯乙酸[2-(二甲基氨基)-2-氧代乙基]酯甲磺酸鹽的丙酮溶劑化物晶型,
其特征在于,使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射在4.46、8.89、13.33、15.33、17.80和19.14處具有衍射峰,所述衍射峰的誤差為±0.2。
6.根據權利要求5所述的丙酮溶劑化物晶型,其X-射線粉末衍射圖譜具有如下特征衍射角2θ、晶面間距d和相對強度,其中2θ的誤差為0.2:
優選地,所述丙酮溶劑化物晶型的X-射線粉末衍射圖譜如圖9所示。
7.一種式(I)所示的4-(4-胍基苯甲酰氧基)苯乙酸[2-(二甲基氨基)-2-氧代乙基]酯甲磺酸鹽的N,N-二甲基甲酰胺溶劑化物晶型,
其特征在于,使用Cu-Kα輻射,以2θ角度表示的X-射線粉末衍射在14.92、17.17、18.17、19.23、20.04和20.33處具有衍射峰,所述衍射峰的誤差為±0.2。
8.根據權利要求7所述的N,N-二甲基甲酰胺溶劑化物晶型,其X-射線粉末衍射圖譜具有如下特征衍射角2θ、晶面間距d和相對強度,其中2θ的誤差為0.2:
優選地,所述N,N-二甲基甲酰胺溶劑化物晶型的X-射線粉末衍射圖譜如圖12所示。
9.權利要求1或2所述的4-(4-胍基苯甲酰氧基)苯乙酸[2-(二甲基氨基)-2-氧代乙基]酯甲磺酸鹽的晶型的制備方法,所述制備方法包括:
(1)將式(I)化合物的游離堿4-(4-胍基苯甲酰氧基)苯乙酸[2-(二甲基氨基)-2-氧代乙基]酯在反應溶劑中攪拌,滴加甲磺酸水溶液;
(2)降溫析晶,過濾得到晶體;
(3)將步驟(2)得到的晶體在水或有機溶劑中加熱攪拌,然后冷卻析晶,將晶體過濾后干燥即得。
10.根據權利要求9所述的制備方法,其中,步驟(1)中所述的反應溶劑為水、含水甲醇、含水乙醇、丙酮、含水丙酮和N,N-二甲基甲酰胺中的一種;優選地,步驟(1)中的滴加溫度為0~40℃,優選為5~25℃,更優選為15~25℃;
優選地,步驟(2)中的析晶溫度為-10~5℃;
優選地,步驟(3)中所述的有機溶劑為丙酮、甲醇、乙醇、異丙醇、叔丁醇、正丁醇、含水丙酮和含水乙醇中的一種,優選為含水丙酮或含水乙醇;優選地,步驟(3)中的加熱溫度為40~80℃,優選為50~60℃。
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