[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202010417670.9
• 申請日: 2020-05-18
• 公開（公告）號: CN112820719A
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 金鎮河
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/24
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

單元陣列，該單元陣列包括源極結構；

外圍電路；

互連結構，該互連結構位于所述單元陣列和所述外圍電路之間并且電聯接到所述外圍電路；以及

去耦結構，該去耦結構位于所述單元陣列和所述互連結構之間并且具有電浮置狀態。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構具有網格形狀。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構包括：

第一導電圖案；以及

與所述第一導電圖案交叉的第二導電圖案。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括插置在所述單元陣列和所述互連結構之間的層間絕緣層，

其中，所述去耦結構形成在所述層間絕緣層中。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構與所述單元陣列和所述互連結構電分離。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述互連結構包括聯接到基準電壓生成電路的引線。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構防止所述源極結構與所述引線之間的耦合電容器。

8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述單元陣列還包括位線和存儲器串，并且

其中，所述去耦結構防止所述源極結構與所述互連結構之間的耦合電容器。

9.一種半導體裝置，該半導體裝置包括：

源極結構，該源極結構包括第一表面和第二表面，所述第二表面在所述第一表面的相反側；

單元層疊結構，該單元層疊結構位于所述源極結構的所述第一表面上；

第一互連結構，該第一互連結構位于所述源極結構的所述第二表面上；以及

去耦結構，該去耦結構位于所述源極結構和所述第一互連結構之間并且具有網格形狀。

10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構具有電浮置狀態。

11.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述第一互連結構包括聯接到基準電壓生成電路的引線。

12.根據權利要求11所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構防止所述源極結構與所述引線之間的耦合電容器。

13.根據權利要求9所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括向所述去耦結構施加接地電壓的接地線。

14.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構包括：

第一導電圖案；以及

與所述第一導電圖案交叉的第二導電圖案。

15.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構包括布置在第一方向和第二方向上的多個開口，所述第二方向與所述第一方向交叉。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括位于所述源極結構的所述第一表面上的第二互連結構，

其中，所述第二互連結構包括通過多個所述開口中的至少一個電聯接到所述第一互連結構的接觸插塞。

17.根據權利要求9所述的半導體裝置，該半導體裝置還包括接觸所述去耦結構的屏障層。

18.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，所述去耦結構包括面向所述第一互連結構的第一表面和面向所述源極結構的第二表面，并且

所述去耦結構還包括接觸所述第一表面的第一屏障層和接觸所述第二表面的第二屏障層。