[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010417670.9
• 申請(qǐng)日: 2020-05-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112820719A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金鎮(zhèn)河
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛(ài)思開(kāi)海力士有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/552
• 分類號(hào): H01L23/552;H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L27/24
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。一種半導(dǎo)體裝置包括：?jiǎn)卧嚵校浒ㄔ礃O結(jié)構(gòu)；外圍電路；互連結(jié)構(gòu)，其位于單元陣列和外圍電路之間并且電聯(lián)接到外圍電路；以及去耦結(jié)構(gòu)，其被配置為防止單元陣列與互連結(jié)構(gòu)之間出現(xiàn)的耦合電容器。

技術(shù)領(lǐng)域

各種實(shí)施方式總體上涉及電子裝置，更具體地，涉及一種半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)

不管電源開(kāi)還是關(guān)，非易失性存儲(chǔ)器裝置保留所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。很難增加在基板上方以單層形成存儲(chǔ)器單元的二維非易失性存儲(chǔ)器裝置的集成密度。因此，已提出了三維非易失性存儲(chǔ)器裝置，其中存儲(chǔ)器單元在基板上方在垂直方向上層疊。

三維非易失性存儲(chǔ)器裝置可包括彼此之間交替層疊的層間絕緣層和柵電極以及穿過(guò)其的溝道層，并且存儲(chǔ)器單元沿著溝道層層疊。已開(kāi)發(fā)各種結(jié)構(gòu)和制造方法以改進(jìn)三維非易失性存儲(chǔ)器裝置的操作可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置可包括：?jiǎn)卧嚵校浒ㄔ礃O結(jié)構(gòu)；外圍電路；互連結(jié)構(gòu)，其位于單元陣列和外圍電路之間并且電聯(lián)接到外圍電路；以及去耦結(jié)構(gòu)，其位于單元陣列和互連結(jié)構(gòu)之間并且具有電浮置狀態(tài)。

根據(jù)實(shí)施方式，一種半導(dǎo)體裝置可包括：源極結(jié)構(gòu)，其包括第一表面和第二表面，該第二表面在第一表面的相反側(cè)；單元層疊結(jié)構(gòu)，其位于源極結(jié)構(gòu)的第一表面上；第一互連結(jié)構(gòu)，其位于源極結(jié)構(gòu)的第二表面上；以及去耦結(jié)構(gòu)，其位于源極結(jié)構(gòu)和第一互連結(jié)構(gòu)之間并且具有網(wǎng)格形狀。

根據(jù)實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可包括以下步驟：形成外圍電路；形成電聯(lián)接到外圍電路的第一互連結(jié)構(gòu)；在第一互連結(jié)構(gòu)上形成具有電浮置狀態(tài)的去耦結(jié)構(gòu)；以及在去耦結(jié)構(gòu)上形成單元陣列。

根據(jù)實(shí)施方式，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法可包括以下步驟：形成外圍電路；形成電聯(lián)接到外圍電路的第一互連結(jié)構(gòu)；在第一互連結(jié)構(gòu)上形成具有網(wǎng)格形狀的去耦結(jié)構(gòu)；以及在去耦結(jié)構(gòu)上形成單元陣列。

附圖說(shuō)明

圖1A至圖1C是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖2A至圖2D是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖。

圖3A至圖3F是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的圖。

圖4是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置的框圖。

圖5是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的存儲(chǔ)器系統(tǒng)的配置的框圖。

圖6是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的計(jì)算系統(tǒng)的配置的框圖。

圖7是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的計(jì)算系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

僅示出根據(jù)本說(shuō)明書中所公開(kāi)的概念的實(shí)施方式的示例的具體結(jié)構(gòu)或功能描述以描述根據(jù)所述概念的實(shí)施方式的示例，根據(jù)所述概念的實(shí)施方式的示例可通過(guò)各種形式實(shí)現(xiàn)，但是描述不限于本說(shuō)明書中所描述的實(shí)施方式的示例。

將理解，盡管本文中使用術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”等來(lái)描述各種元件，但這些元件不應(yīng)受這些術(shù)語(yǔ)限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于將一個(gè)元件與另一元件相區(qū)分。因此，在不脫離本公開(kāi)的教導(dǎo)的情況下，一些實(shí)施方式中的第一元件在其它實(shí)施方式中可被稱為第二元件。

此外，將理解，當(dāng)元件被稱為“連接”或“聯(lián)接”到另一元件時(shí)，其可直接連接或聯(lián)接到另一元件，或者可存在中間元件。相反，當(dāng)元件被稱為“直接連接”或“直接聯(lián)接”到另一元件時(shí)，不存在中間元件。

本公開(kāi)的各種實(shí)施方式提供了一種具有穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)和改進(jìn)的特性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

圖1A至圖1C是示出根據(jù)本公開(kāi)的實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的圖。