[發明專利]一種單口控制的H橋電機驅動電路及電器

在審

• 申請號: 202010415107.8
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111614289A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 謝海軍
• 申請（專利權）人: 世強先進（深圳）科技股份有限公司
• 主分類號: H02P7/03
• 分類號: H02P7/03;H02M1/088;H02M1/38
• 代理公司: 深圳市瑞方達知識產權事務所(普通合伙) 44314
• 代理人: 郭方偉

本發明涉及一種單口控制的H橋電機驅動電路及電器。H橋電機驅動電路由第一開關管NMOS1、第二開關管NMOS2、第三開關管NMOS3和第四開關管NMOS4組成，第一半橋驅動芯片IC1分別控制第一開關管NMOS1和第三開關管NMOS3的通斷，第二半橋驅動芯片IC2分別控制第二開關管NMOS2和第四開關管NMOS4的通斷；同一個PWM輸出端口分別連接第一半橋驅動芯片IC1和第二半橋驅動芯片IC2，且PWM輸出端口通過反相器IC3連接第二半橋驅動芯片IC2。本發明僅需一個I/O口即可實現對電機正反轉的控制，節省主控器資源；同時有效地防止H橋電機驅動電路的上下MOS管同時直通而產生的大電流損壞MOS管，提高產品的可靠性。

技術領域

本發明涉及電機驅動領域，更具體地說，涉及一種單口控制的H橋電機驅動電路及電器。

背景技術

現在技術中常使用H橋電路去驅動電機的正轉和反轉，這種H橋電路都是用主控器的兩個I/O口去控制四個MOS管的開通和關斷，從而達到控制電機的正轉和反轉的目的。而使用此種電路會有兩個不利之處：一是主控器的資源占用多，二是主控需要兩個I/O口去控制MOS管的開關和關斷，會存在H橋電路的上下兩個MOS管直通的現象，導致MOS管損壞。

發明內容

本發明要解決的技術問題在于，針對現有技術的上述缺陷，提供一種單口控制的H橋電機驅動電路及電器。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：構造一種單口控制的H橋電機驅動電路，包括第一半橋驅動芯片IC1、第二半橋驅動芯片IC2、第一開關管NMOS1、第二開關管NMOS2、第三開關管NMOS3、第四開關管NMOS4、反相器IC3；

所述第一半橋驅動芯片IC1的輸入引腳IN連接PWM輸出端口，所述第一半橋驅動芯片IC1的供電引腳VDD連接第一供電電源，所述第一半橋驅動芯片IC1的接地引腳GND接地；所述第一半橋驅動芯片IC1的高電平輸出引腳HO連接所述第一開關管NMOS1的柵極，所述第一半橋驅動芯片IC1的低電平輸出引腳LO連接所述第三開關管NMOS3的柵極；所述第一開關管NMOS1的漏極連接第二供電電源，所述第一開關管NMOS1的源極連接電機的第一輸入端；所述第三開關管NMOS3的漏極連接所述電機的第一輸入端，所述第三開關管NMOS3的源極接地；

所述PWM輸出端口連接所述反相器IC3的輸入端，所述反相器IC3的輸出端連接所述第二半橋驅動芯片IC2的輸入引腳IN，所述反相器IC3的供電端連接第三供電電源，所述反相器IC3的接地端接地；所述第二半橋驅動芯片IC2的供電引腳VDD連接所述第一供電電源，所述第二半橋驅動芯片IC2的接地引腳GND接地；所述第二半橋驅動芯片IC2的高電平輸出引腳HO連接所述第二開關管NMOS2的柵極，所述第二半橋驅動芯片IC2的低電平輸出引腳LO連接所述第四開關管NMOS4的柵極；所述第二開關管NMOS2的漏極連接所述第二供電電源，所述第二開關管NMOS2的源極連接電機的第二輸入端；所述第四開關管NMOS4的漏極連接所述電機的第二輸入端，所述第四開關管NMOS4的源極接地；

若所述PWM輸出端口輸出高電平，所述第一半橋驅動芯片IC1的高電平輸出引腳HO輸出高電平，所述第一開關管NMOS1導通；所述第一半橋驅動芯片IC1的低電平輸出引腳LO輸出低電平，所述第三開關管NMOS3關斷；所述PWM輸出端口輸出高電平經所述反相器IC3反向后輸出低電平，所述第二半橋驅動芯片IC2的高電平輸出引腳HO輸出低電平，所述第二開關管NMOS2關斷，所述第二半橋驅動芯片IC2的低電平輸出引腳LO輸出高電平，所述第四開關管NMOS4導通，所述電機按照第一預設方向轉動；