[發明專利]RRAM阻變結構的形成方法有效
| 申請號： | 202010413713.6 | 申請日： | 2020-05-15 |
| 公開（公告）號： | CN111799372B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發明（設計）人： | 徐靈芝;張志剛 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | rram 結構 形成 方法 | ||
1.一種RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，包括：
提供一半導體基底；
在所述半導體基底上形成下電極；
在所述下電極上使用α相的Ta形成第一鉭層，在所述第一鉭層上使用β相的Ta形成第二鉭層；
氧化處理所述第一鉭層和所述第二鉭層形成鉭氧化物層，在單一的氧化條件下，所述鉭氧化物層包括TaOx層和位于所述TaOx層上的Ta2O5，所述X小于5/2；
在所述鉭氧化物層上依次形成阻擋層和上電極。
2.如權利要求1所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，所述半導體基底包括金屬層和通孔層。
3.如權利要求1所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，形成所述下電極的方法包括：
在所述半導體基底上形成介質層；
刻蝕所述介質層露出所述半導體基底表面以形成凹槽；
在所述凹槽內填充氮化鈦；
研磨所述氮化鈦使得其表面平整形成所述下電極。
4.如權利要求1所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，所述阻擋層的材料包括鉭，所述上電極的材料包括氮化鈦。
5.如權利要求1所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，所述第一鉭層和所述第二鉭層均采用物理氣相沉積方式形成。
6.如權利要求5所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，形成所述第一鉭層的等離子能量大于400W。
7.如權利要求6所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，形成所述第二鉭層的等離子能量小于200W。
8.如權利要求7所述的RRAM阻變結構的形成方法，其特征在于，氧化所述第一鉭層和所述第二鉭層形成鉭氧化物層使用的N2O氧化方式。
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