[發明專利]一種磁控濺射環件及其配合孔的加工方法

在審

• 申請號: 202010413499.4
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111575663A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學澤;楊其垚
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;B23D79/00
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

本發明提供了一種磁控濺射環件及其配合孔的加工方法，所述的磁控濺射環件包括環件本體，所述環件本體的外側環面上設置有至少一個配合孔，所述配合孔內固定有突出于環件本體外側環面的連接結。使用四軸加工中心對環件本體配合孔進行加工，由于現有加工方案需要操作人員手動旋轉環件本體，不僅勞動強度大，且有搖錯風險，不適合大批量生產。本發明采用先進的四軸加工替代傳統的手動分度旋轉，從而實現了對旋轉角度的精確控制，有效降低了搖錯風險和操作人員的勞動強度。

技術領域

本發明屬于環件加工技術領域，涉及一種磁控濺射環件及其配合孔的加工方法。

背景技術

隨著信息時代的來臨，微電子和半導體技術在國民經濟發展中扮演著舉足輕重的角色，磁控濺射技術則極大地推動著微電子和半導體行業的發展。磁控濺射的原理是利用高能粒子轟擊高純靶材靶面，使靶材原子獲得能量克服表面逸出功而從表面逸出沉積到基板上形成薄膜層。但是高能粒子從各個方向轟擊靶材使逸出的靶材原子方向不唯一。當不同方向的靶材原子沿直線到達基板表面時會降低基板各部分沉積的薄膜層的均勻性，尤其當基板特征尺寸小，填孔深寬比大的情況下，靶材原子僅有一部分能垂直沉積到基底上，而大深寬比的臺階孔容易被堵住形成孔洞。

為解決上述問題，在靶材和和基板之間設置一個與靶材相同材質的環件。在環件上施加射頻電源后形成高密度等離子區，從靶材逸出的原子在等離子區被電離成帶電粒子，不同方向運動的帶電粒子在靶材和基板之間的電場作用下都垂直方向沉積于基板上，對深孔沉積效果良好。濺射環還可以吸附濺射過程中產生的顆粒物，防止基板被污染破壞。

CN204111859U公開了一種磁控濺射環裝置和磁控濺射反應器，其中，磁控濺射環裝置包括：安裝于磁控濺射腔室側壁上，所述磁控濺射腔室側壁具有定位銷套，所述磁控濺射環裝置包括：磁控濺射環，所述磁控濺射環包括內環側壁和與所述內環側壁相對的外環側壁，所述外環側壁具有凹槽；定位銷，一端與凹槽底部連接，另一端套設在定位銷套中，所述內環側壁與所述定位銷套距離不變，所述磁控濺射環的外環側壁與所述定位銷套之間的距離為大于0.01毫米且小于6毫米。

CN110670031A公開了一種鉭環及制備方法、包含鉭環的濺射裝置及其應用，所述鉭環包括環件以及設置在環件表面的花紋，所述花紋呈錐形凹坑狀；錐形凹坑狀花紋具有較大的比表面積，當在用于濺射過程中，能夠附著較大量的濺射源，并且具有較好的附著力，此外花紋呈現錐形凹坑狀，錐形凹坑的頂部朝向環件內部，相鄰兩個錐形凹坑的底部相連，呈現平面狀的結構，而非帶有尖端的結構。

在采用物理氣相沉積鍍膜的過程中，會使用磁控濺射環件配合鉭靶材一起使用，環件通過焊接在磁控濺射環件本體上的連接結與機臺螺絲固定并發揮了導電作用。環件本體與連接結在焊接過程中需要一個配合孔，此配合孔需要通過數控加工中心與手動分度頭配合加工，手動分度頭是通過手動搖動控制角度，勞動強度大，且有搖錯角度風險，不合適大批量生產。

發明內容

針對現有技術存在的不足，本發明的目的在于提供一種磁控濺射環件及其配合孔的加工方法，使用四軸加工中心對環件本體配合孔進行加工，由于現有加工方案需要操作人員手動旋轉環件本體，不僅勞動強度大，且有搖錯風險，不適合大批量生產。本發明采用先進的四軸加工替代傳統的手動分度旋轉，從而實現了對旋轉角度的精確控制，有效降低了搖錯風險和操作人員的勞動強度。

為達此目的，本發明采用以下技術方案：

第一方面，本發明提供了一種磁控濺射環件所述的磁控濺射環件包括環件本體，所述環件本體的外側環面上設置有至少一個配合孔，所述配合孔內固定有突出于環件本體外側環面的連接結。

作為本發明一種優選的技術方案，所述的連接結為柱狀結構。

優選地，所述的配合孔為盲孔或通孔。

優選地，所述的連接結焊接固定于配合孔內。