[發(fā)明專利]振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器、沖擊耐壓檢測系統(tǒng)及方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010413020.7 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111551829A | 公開(公告)日: | 2020-08-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 蔡玲瓏;靳宇暉;馬志欽;楊賢;孫文星;呂鴻;周丹;江丹宇 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東電網(wǎng)有限責(zé)任公司電力科學(xué)研究院 |
| 主分類號: | G01R31/12 | 分類號: | G01R31/12;G01R1/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 沈闖 |
| 地址: | 510080 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 振蕩 操作 沖擊 電壓 發(fā)生器 耐壓 檢測 系統(tǒng) 方法 | ||
本申請公開了一種振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器、沖擊耐壓檢測系統(tǒng)及方法,其中該振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器包括:第一電阻、第二電阻、第一電感和電源;電源的第一端連接第一電阻的第一端、第二電阻的第一端,第二端連接第一電阻的第二端;第二電阻的第二端連接第一電感的第一端;第一電感的第二端用于外接被檢測變壓器;電源由多個可控硅模塊級聯(lián)構(gòu)成,解決了現(xiàn)有的振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器采用間隙放電,對周圍其他的設(shè)備和裝置產(chǎn)生不利影響,甚至影響到站內(nèi)的通信監(jiān)控設(shè)備,造成安全隱患,不利于試驗(yàn)的安全進(jìn)行的技術(shù)問題。
本申請要求申請日為2019年12月27日,申請?zhí)枮?01911382590.8的中國專利申請的優(yōu)先權(quán)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及操作沖擊電壓技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器、沖擊耐壓檢測系統(tǒng)及方法。
背景技術(shù)
隨著電網(wǎng)電壓水平的提高和對操作沖擊電壓認(rèn)識的加深,操作沖擊電壓對變壓器的沖擊耐壓試驗(yàn)具有重要意義。其中,振蕩型操作沖擊電壓具有產(chǎn)生效率高、接近實(shí)際波形、便于比對等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用。
變壓器振蕩型操作沖擊耐壓試驗(yàn)的基本原理是:在被試變壓器的低壓側(cè)輸入一個低幅值沖擊電壓,在被試變壓器的高壓側(cè)感應(yīng)產(chǎn)生振蕩型操作沖擊電壓,利用該振蕩型操作沖擊電壓對變壓器進(jìn)行沖擊耐壓試驗(yàn)。
現(xiàn)有的振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器采用間隙放電,在放電時會產(chǎn)生明顯的放電火花,與此同時產(chǎn)生強(qiáng)烈的電磁輻射時伴隨巨大的放電聲音,對周圍其他的設(shè)備和裝置產(chǎn)生不利影響,甚至影響到站內(nèi)的通信監(jiān)控設(shè)備,造成安全隱患,不利于試驗(yàn)的安全進(jìn)行。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,本申請?zhí)峁┝艘环N振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器、沖擊耐壓檢測系統(tǒng)及方法,解決了現(xiàn)有的振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器采用間隙放電,對周圍其他的設(shè)備和裝置產(chǎn)生不利影響,甚至影響到站內(nèi)的通信監(jiān)控設(shè)備,造成安全隱患,不利于試驗(yàn)的安全進(jìn)行的技術(shù)問題。
本申請第一方面提供了一種振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器,包括:第一電阻、第二電阻、第一電感和電源;
所述電源的第一端連接所述第一電阻的第一端、所述第二電阻的第一端,第二端連接所述第一電阻的第二端;
所述第二電阻的第二端連接所述第一電感的第一端;
所述第一電感的第二端用于外接被檢測變壓器;
所述電源由多個可控硅模塊級聯(lián)構(gòu)成。
可選地,所述電源由多個可控硅模塊并聯(lián)構(gòu)成。
可選地,所述可控硅模塊具體包括H橋可控硅模塊。
可選地,所述H橋可控硅模塊包括:母線電容、第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅和第四可控硅;
所述母線電容的第一端連接所述第一可控硅的第一端、所述第三可控硅的第一端;
所述第一可控硅的第二端連接所述第二可控硅的第一端;
所述第三可控硅的第二端連接所述第四可控硅的第一端;
所述第二可控硅的第二端連接所述母線電容的第二端;
所述第四可控硅的第二端連接所述母線電容的第二端。
可選地,所述第一可控硅、所述第二可控硅、所述第三可控硅和所述第四可控硅均為雙向?qū)煽毓琛?/p>
可選地,所述電源由多個可控硅模塊串聯(lián)構(gòu)成。
本申請第二方面提供了一種沖擊耐壓檢測系統(tǒng),包括:被檢測變壓器和如第一方面所述的振蕩型操作沖擊電壓發(fā)生器;
所述被檢測變壓器和所述第一電感的第二端、所述電源的第二端均連接。
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