[發明專利]振蕩型操作沖擊電壓發生器、沖擊耐壓檢測系統及方法

在審

• 申請號: 202010413020.7
• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111551829A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 蔡玲瓏;靳宇暉;馬志欽;楊賢;孫文星;呂鴻;周丹;江丹宇
• 申請（專利權）人: 廣東電網有限責任公司電力科學研究院
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12;G01R1/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 沈闖

1.一種振蕩型操作沖擊電壓發生器，其特征在于，包括：第一電阻、第二電阻、第一電感和電源；

所述電源的第一端連接所述第一電阻的第一端、所述第二電阻的第一端，第二端連接所述第一電阻的第二端；

所述第二電阻的第二端連接所述第一電感的第一端；

所述第一電感的第二端用于外接被檢測變壓器；

所述電源由多個可控硅模塊級聯構成。

2.根據權利要求1所述的振蕩型操作沖擊電壓發生器，其特征在于，所述電源由多個可控硅模塊并聯構成。

3.根據權利要求2所述的振蕩型操作沖擊電壓發生器，其特征在于，所述可控硅模塊具體包括H橋可控硅模塊。

4.根據權利要求3所述的振蕩型操作沖擊電壓發生器，其特征在于，所述H橋可控硅模塊包括：母線電容、第一可控硅、第二可控硅、第三可控硅和第四可控硅；

所述母線電容的第一端連接所述第一可控硅的第一端、所述第三可控硅的第一端；

所述第一可控硅的第二端連接所述第二可控硅的第一端；

所述第三可控硅的第二端連接所述第四可控硅的第一端；

所述第二可控硅的第二端連接所述母線電容的第二端；

所述第四可控硅的第二端連接所述母線電容的第二端。

5.根據權利要求4所述的振蕩型操作沖擊電壓發生器，其特征在于，所述第一可控硅、所述第二可控硅、所述第三可控硅和所述第四可控硅均為雙向導通可控硅。

6.根據權利要求1所述的振蕩型操作沖擊電壓發生器，其特征在于，所述電源由多個可控硅模塊串聯構成。

7.一種沖擊耐壓檢測系統，其特征在于，包括：被檢測變壓器和如權利要求1至6中任一項所述的振蕩型操作沖擊電壓發生器；

所述被檢測變壓器和所述第一電感的第二端、所述電源的第二端均連接。

8.一種沖擊耐壓檢測方法，其特征在于，應用于權利要求7所述的振蕩型操作沖擊感應耐壓檢測系統，包括：

S1、根據所述被檢測變壓器的變壓器參數，確定所述電源的輸出電壓和振蕩頻率；

S2、根據所述輸出電壓和所述振蕩頻率確定所述電源中可控硅模塊的數量；

S3、基于確定的所述可控硅模塊的數量，通過所述振蕩型操作沖擊電壓發生器對所述被檢測變壓器進行振蕩型操作沖擊感應耐壓檢測。