[發明專利]一種用于全芯片光源掩模聯合優化關鍵圖形篩選的掩模圖形頻譜包絡分割方法有效
| 申請號: | 202010412950.0 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111415362B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 廖陸峰;李思坤;王向朝 | 申請(專利權)人: | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號: | G06T7/11 | 分類號: | G06T7/11;G06T7/181 |
| 代理公司: | 上海恒慧知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 張寧展 |
| 地址: | 201800 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 芯片 光源 聯合 優化 關鍵 圖形 篩選 頻譜 包絡 分割 方法 | ||
一種用于全芯片光源掩模聯合優化關鍵圖形篩選的掩模圖形頻譜包絡分割方法。所述方法通過尋找頻譜強度值矩陣的8鄰域極大值點作為包絡頂點,針對每個極大值點采用設計的包絡生長法尋找屬于當前包絡的點以及包絡的邊界點。本發明設計的包絡生長法通過搜尋當前包絡點的4鄰域來找到屬于當前包絡的新的點以及包絡的邊界點,從而實現包絡的生長。本發明可以準確地對頻譜包絡進行分割,更準確地提取圖形頻譜的包絡信息,使得最終的關鍵圖形篩選結果準確。
技術領域
本發明涉及光刻分辨率增強技術,特別涉及用于全芯片光源掩模聯合優化關鍵圖形篩選的掩模圖形頻譜包絡分割方法。
背景技術
光刻技術是集成電路制造關鍵技術之一。光刻分辨率決定集成電路的特征尺寸。光源掩模聯合優化技術(SMO)是關鍵光刻分辨率增強技術之一。目前全芯片SMO的做法是首先使用關鍵圖形篩選技術篩選出少量關鍵掩模圖形,以關鍵掩模圖形進行SMO后得到優化光源,然后以優化光源為照明條件對整個掩模圖形進行光學鄰近效應修正、添加亞分辨率輔助圖形。全芯片SMO關鍵圖形篩選技術是降低全芯片SMO計算量的關鍵技術之一。公司荷蘭ASML公司提出的基于圖形衍射譜分析的關鍵圖形篩選技術(參見在先技術1,Hua-YuLiu,Luoqi Chen,Hong Chen,Zhi-pan Li,Selection of optimum patterns in a designlayout based on diffraction signature analysis,Patent No.:US 8543947B2)是目前最先進的技術之一。目前ASML公司的商用軟件Tachyon已經包含該技術。在基于頻域分析的全芯片SMO關鍵圖形篩選技術中,需要提取頻譜包絡的寬度信息,并基于獲得地寬度信息進行圖形篩選。掩模圖形頻譜的包絡分割是提取頻譜包絡寬度信息地基礎。掩模圖形頻譜的包絡分割影響著提取到的頻譜包絡寬度的準確性,同時影響著最終的關鍵圖形篩選結果。
發明內容
本發明的目的在于提供一種用于全芯片光源掩模聯合優化關鍵圖形篩選的掩模圖形頻譜包絡分割方法。本發明通過尋找頻譜強度值矩陣的8鄰域極大值點作為包絡頂點,針對每個極大值點采用設計的包絡生長法尋找屬于當前包絡的點以及包絡的邊界點。本發明設計的包絡生長法通過搜尋當前包絡點的4鄰域來找到屬于當前包絡的新的點以及包絡的邊界點,從而實現包絡的生長。
本發明的技術解決方案如下:
一種用于全芯片光源掩模聯合優化關鍵圖形篩選的掩模圖形頻譜包絡分割方法分割。本發明包括如下步驟:
步驟1.讀取掩模圖形頻譜的強度值矩陣。
步驟2.從強度值矩陣中尋找8鄰域極大值點。
步驟3.建立極大值點位置列表記錄極大值點在強度值矩陣中的位置(一維列表)。
步驟4.判斷極大值點位置列表是否為空,如果是,則結束;否則,進入步驟5。
步驟5.提取極大值點位置列表的首個元素。
步驟6.采用包絡生長法尋找強度值矩陣中屬于當前包絡的點及邊界點,具體步驟如下:
步驟6.1將強度值矩陣中極大值點位置列表的首個元素及其8鄰域的點標記為當前包絡的點;
步驟6.2建立記錄步驟6.1中8鄰域點位置的種子列表;
步驟6.3判斷種子列表是否為空,如是,則結束,否則,進入步驟6.4;
步驟6.4提取種子列表首個元素,即種子1;
步驟6.5判斷強度值矩陣中種子1的點的強度值是否為0,如是,則進入步驟6.14,否則,進入步驟6.6;
步驟6.6建立4鄰域列表記錄種子1在強度值矩陣的4鄰域點的位置;
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