[發(fā)明專利]一種晶圓檢測(cè)方法及裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010412258.8
• 申請(qǐng)日: 2020-05-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111430260B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭凱銘;王政航
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G01B21/20;G01B21/08
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

本發(fā)明提供一種晶圓檢測(cè)方法，對(duì)待測(cè)晶圓的多個(gè)位置進(jìn)行檢測(cè)，得到待測(cè)晶圓的檢測(cè)厚度，而后利用豪斯多夫距離計(jì)算檢測(cè)厚度和基準(zhǔn)厚度的相似度，在計(jì)算得到相似度之后，利用相似度表征待測(cè)晶圓的形貌。這樣，不需要通過(guò)多個(gè)參數(shù)表征晶圓的形貌，僅通過(guò)相似度一個(gè)參數(shù)便可以反映出待測(cè)晶圓的形貌情況，相似度越小表示待測(cè)晶圓的形貌較好，相似度越大表示待測(cè)晶圓的形貌較差，從而提高形貌檢測(cè)的效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓檢測(cè)方法及裝置。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體晶圓的制造過(guò)程中，晶圓表面形貌直接影響后續(xù)器件加工、鍵合等工藝的質(zhì)量，因此需要對(duì)晶圓的表面進(jìn)行檢測(cè)，目前主要是通過(guò)平均量(average)、工程差(range)以及均勻度(NU％或U％)作為監(jiān)控晶圓膜厚、化學(xué)機(jī)械研磨去除量、蝕刻制程移除量的參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓表面形貌的檢測(cè)。此外，現(xiàn)有的晶圓檢測(cè)方法還通過(guò)將晶圓進(jìn)行切分，切分為不同的半徑后，計(jì)算每個(gè)區(qū)域的平均量和工程差，比較各個(gè)區(qū)域的相對(duì)應(yīng)差值，進(jìn)而通過(guò)差值表征晶圓形貌。但是上述方法均需要大量的參數(shù)以表征晶圓的形貌，難以直觀有效的監(jiān)控晶圓的形貌。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種晶圓檢測(cè)方法及裝置，直觀反映出晶圓的形貌情況。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明有如下技術(shù)方案：

一種晶圓檢測(cè)方法，包括：

對(duì)待測(cè)晶圓的多個(gè)位置進(jìn)行檢測(cè)，得到所述待測(cè)晶圓的檢測(cè)厚度；

利用豪斯多夫距離計(jì)算所述檢測(cè)厚度和基準(zhǔn)厚度的相似度；

利用所述相似度表征所述待測(cè)晶圓的形貌。

可選的，所述基準(zhǔn)厚度為基準(zhǔn)晶圓的多個(gè)位置的厚度。

可選的，在所述利用豪斯多夫距離計(jì)算所述檢測(cè)厚度和基準(zhǔn)厚度的相似度之前，還包括：

對(duì)所述檢測(cè)厚度和所述基準(zhǔn)厚度進(jìn)行歸一化。

可選的，所述對(duì)檢測(cè)厚度進(jìn)行歸一化包括：

計(jì)算所述檢測(cè)厚度平均值，根據(jù)所述檢測(cè)厚度以及所述檢測(cè)厚度的平均值，獲得檢測(cè)比值；

所述對(duì)基準(zhǔn)厚度進(jìn)行歸一化包括：

計(jì)算所述基準(zhǔn)厚度平均值，根據(jù)所述基準(zhǔn)厚度以及所述基準(zhǔn)厚度的平均值，獲得基準(zhǔn)比值；

則，所述利用豪斯多夫距離計(jì)算所述檢測(cè)厚度和基準(zhǔn)厚度的相似度，包括：

利用豪斯多夫距離計(jì)算所述檢測(cè)比值和所述基準(zhǔn)比值的相似度。

可選的，在所述對(duì)所述檢測(cè)厚度和所述基準(zhǔn)厚度進(jìn)行歸一化之后，還包括：

將所述待測(cè)晶圓和所述基準(zhǔn)晶圓進(jìn)行降階處理。

可選的，所述對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行降階處理包括：

對(duì)所述待測(cè)晶圓進(jìn)行分區(qū)，獲取各個(gè)分區(qū)檢測(cè)比值的平均值；

所述對(duì)基準(zhǔn)晶圓進(jìn)行降階處理包括：

對(duì)所述基準(zhǔn)晶圓進(jìn)行分區(qū)，獲取各個(gè)分區(qū)基準(zhǔn)比值的平均值；

則，所述利用豪斯多夫距離計(jì)算所述檢測(cè)厚度和基準(zhǔn)厚度的相似度，包括：

利用豪斯多夫距離計(jì)算所述檢測(cè)比值的平均值和所述基準(zhǔn)比值的平均值的相似度；

其中，所述基準(zhǔn)晶圓的分區(qū)區(qū)域與所述待測(cè)晶圓的分區(qū)區(qū)域?qū)?yīng)。

可選的，所述基準(zhǔn)晶圓和所述待測(cè)晶圓包括沿徑向分布的7個(gè)分區(qū)，外側(cè)的分區(qū)環(huán)繞內(nèi)側(cè)的分區(qū)。

一種晶圓檢測(cè)裝置，包括：