[發(fā)明專利]一種晶圓檢測方法及裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010412258.8 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111430260B | 公開(公告)日: | 2023-07-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭凱銘;王政航 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01B21/20;G01B21/08 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 柳虹 |
| 地址: | 430074 湖北省武漢*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 檢測 方法 裝置 | ||
1.一種晶圓檢測方法,其特征在于,包括:
對待測晶圓的多個位置進行檢測,得到所述待測晶圓的檢測厚度;
利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度;
利用所述相似度表征所述待測晶圓的形貌;
所述基準厚度為基準晶圓的多個位置的厚度;
在所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度之前,還包括:
對所述檢測厚度和所述基準厚度進行歸一化;
在對所述檢測厚度和所述基準厚度進行歸一化之后,還包括:
對所述待測晶圓和所述基準晶圓進行降階處理;
所述對待測晶圓進行降階處理包括:
對所述待測晶圓進行分區(qū),獲取各個分區(qū)檢測比值的平均值;
所述對基準晶圓進行降階處理包括:
對所述基準晶圓進行分區(qū),獲取各個分區(qū)基準比值的平均值;
則,所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度,包括:
利用豪斯多夫距離計算所述檢測比值的平均值和所述基準比值的平均值的相似度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述對檢測厚度進行歸一化包括:
計算所述檢測厚度平均值,根據(jù)所述檢測厚度以及所述檢測厚度的平均值,獲得檢測比值;
所述對基準厚度進行歸一化包括:
計算所述基準厚度平均值,根據(jù)所述基準厚度以及所述基準厚度的平均值,獲得基準比值;
則,所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度,包括:
利用豪斯多夫距離計算所述檢測比值和所述基準比值的相似度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,在對所述檢測厚度和所述基準厚度進行歸一化之后,還包括:
對所述待測晶圓和所述基準晶圓進行降階處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述對待測晶圓進行降階處理包括:
對所述待測晶圓進行分區(qū),獲取各個分區(qū)檢測比值的平均值;
所述對基準晶圓進行降階處理包括:
對所述基準晶圓進行分區(qū),獲取各個分區(qū)基準比值的平均值;
則,所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度,包括:
利用豪斯多夫距離計算所述檢測比值的平均值和所述基準比值的平均值的相似度;
其中,所述基準晶圓的分區(qū)區(qū)域與所述待測晶圓的分區(qū)區(qū)域?qū)?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述基準晶圓和所述待測晶圓包括沿徑向分布的7個分區(qū),外側(cè)的分區(qū)環(huán)繞內(nèi)側(cè)的分區(qū)。
6.一種晶圓檢測裝置,其特征在于,包括:
檢測單元,用于對待測晶圓的多個位置進行檢測,得到所述待測晶圓的檢測厚度;
計算單元,用于利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度;
表征單元,用于利用所述相似度表征所述待測晶圓的形貌;
所述基準厚度為基準晶圓的多個位置的厚度;
在所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度之前,還包括:
對所述檢測厚度和所述基準厚度進行歸一化;
在對所述檢測厚度和所述基準厚度進行歸一化之后,還包括:
對所述待測晶圓和所述基準晶圓進行降階處理;
所述對待測晶圓進行降階處理包括:
對所述待測晶圓進行分區(qū),獲取各個分區(qū)檢測比值的平均值;
所述對基準晶圓進行降階處理包括:
對所述基準晶圓進行分區(qū),獲取各個分區(qū)基準比值的平均值;
則,所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度,包括:
利用豪斯多夫距離計算所述檢測比值的平均值和所述基準比值的平均值的相似度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,還包括:
歸一化單元,用于在所述利用豪斯多夫距離計算所述檢測厚度和基準厚度的相似度之前,對所述檢測厚度和所述基準厚度進行歸一化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





