[發(fā)明專利]烹飪用非金屬發(fā)熱盤及其制備方法和加熱裝置

在審

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• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN111698799A
• 公開（公告）日: 2020-09-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉飛全;王德平;盧長征
• 申請（專利權(quán)）人: 佛山市也牛科技有限公司
• 主分類號: H05B3/26
• 分類號: H05B3/26;H05B3/02;A47J27/21;A47J36/24;A47J36/04
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓;李素蘭

1.一種烹飪用非金屬發(fā)熱盤，其特征在于，依次包括玻璃片、陶瓷基板、絕緣釉層和發(fā)熱體，所述陶瓷基板的正面和玻璃片貼合并通過燒結(jié)形成一體結(jié)構(gòu)，所述絕緣釉層設(shè)于陶瓷基板的背面，所述發(fā)熱體設(shè)于絕緣釉層上；

其中，所述陶瓷基板的膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1；

所述玻璃片的熱膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1，且所述玻璃片的熱膨脹系數(shù)與貼合的陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)相差1.0×10^-6K^-1；

所述陶瓷基板和玻璃片燒結(jié)的溫度為700～1000℃。

2.如權(quán)利要求1所述的烹飪用非金屬發(fā)熱盤，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度為1-5mm，所述玻璃片的厚度為0.1-0.5mm；

所述陶瓷基板的熱導(dǎo)系數(shù)1.0W·K^-1·m^-1，其為氧化鋁陶瓷板、氧化鋯陶瓷板、堇青石陶瓷板、莫來石陶瓷板、氮化鋁陶瓷板或碳化硅陶瓷板；

所述玻璃片的軟化溫度1000℃，其為高硼硅玻璃片、硅鋁玻璃片或微晶玻璃片；

所述陶瓷基板與玻璃片的接觸面的粗糙度為0.8到3.6。

3.如權(quán)利要求2所述的烹飪用非金屬發(fā)熱盤，其特征在于，所述絕緣釉層由絕緣介質(zhì)漿料制成，所述絕緣介質(zhì)漿料的熱膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1，所述絕緣介質(zhì)漿料的熱膨脹系數(shù)與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)相差1.0×10^-6K^-1；

所述絕緣介質(zhì)漿料的軟化溫度1000℃，且所述絕緣介質(zhì)漿料的軟化溫度低于所述玻璃片的軟化溫度100℃；

所述絕緣介質(zhì)漿料的交流電擊穿強度3000V。

4.一種烹飪用非金屬發(fā)熱盤的制備方法，其特征在于，包括：

選用膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1的陶瓷基板，對其表面打磨；

選用膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1的玻璃片，所述玻璃片的熱膨脹系數(shù)與陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)相差1.0×10^-6K^-1；

將陶瓷基板和玻璃片相貼合，并通過燒結(jié)形成一體結(jié)構(gòu)，得到表面覆有玻璃片的陶瓷基板；

在陶瓷基板的背面印刷絕緣介質(zhì)漿料，通過燒結(jié)形成絕緣釉層；

在絕緣釉層的表面印刷發(fā)熱電路，形成發(fā)熱體。

5.一種烹飪用非金屬加熱裝置，其特征在于，包括非金屬壺體、位于所述非金屬壺體底部的發(fā)熱體以及與所述非金屬壺體相連接的底座；

所述非金屬壺體包括壺身、與所述壺身相連接的壺底、以及用于接地的接地結(jié)構(gòu)；

所述壺底依次包括玻璃片、陶瓷基板和絕緣釉層，所述陶瓷基板的正面和玻璃片貼合并通過燒結(jié)形成一體結(jié)構(gòu)，所述絕緣釉層設(shè)于陶瓷基板的背面，所述發(fā)熱體設(shè)于絕緣釉層上；

其中，所述陶瓷基板的膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1；

所述玻璃片的熱膨脹系數(shù)7.5×10^-6K^-1，且所述玻璃片的熱膨脹系數(shù)與貼合的陶瓷基板的熱膨脹系數(shù)相差1.0×10^-6K^-1；

所述陶瓷基板和玻璃片燒結(jié)的溫度為700～1000℃。

6.如權(quán)利要求5所述的烹飪用非金屬加熱裝置，其特征在于，所述陶瓷基板的厚度為1-5mm，所述玻璃片的厚度為0.1-0.5mm；

所述陶瓷基板的熱導(dǎo)系數(shù)1.0W·K^-1·m^-1，其為氧化鋁陶瓷板、氧化鋯陶瓷板、堇青石陶瓷板、莫來石陶瓷板、氮化鋁陶瓷板或碳化硅陶瓷板；

所述玻璃片的軟化溫度1000℃，其為高硼硅玻璃片、硅鋁玻璃片或微晶玻璃片；

所述陶瓷基板與玻璃片的接觸面的粗糙度為0.8到3.6。