[發(fā)明專利]一種半導體器件模型的建模方法及裝置

在審

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• 申請日: 2020-05-15
• 公開（公告）號: CN111680465A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設計）人: 卜建輝;王成成;李垌帥;劉海南;曾傳濱;韓鄭生;羅家俊
• 申請（專利權(quán)）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: G06F30/3308
• 分類號: G06F30/3308
• 代理公司: 北京華沛德權(quán)律師事務所 11302
• 代理人: 房德權(quán)

本發(fā)明提供一種半導體器件模型的建模方法及裝置，方法包括：根據(jù)集成電路器件的歷史仿真結(jié)果確定至少一個溫度區(qū)間；針對不同的溫度區(qū)間，提取出對應的器件模型參數(shù)，根據(jù)所述模型參數(shù)建立對應的子器件模型；合并所述子器件模型，獲得當前半導體器件模型；當需要再次對所述集成電路器件進行仿真時，接收溫度區(qū)間的當前標識值，根據(jù)所述當前標識值在所述當前半導體器件模型中確定出對應的子器件模型；利用所述對應的子器件模型對所述集成電路器件進行仿真；如此，因不同的溫度區(qū)間對應的有不同的子器件模型，這樣在對集成電路器件進行仿真時，無論溫度是在什么范圍內(nèi)，都有合適的子器件模型對集成電路器件進行仿真，確保仿真精度，滿足仿真要求。

技術領域

本發(fā)明屬于半導體器件建模技術領域，尤其涉及一種半導體器件模型的建模方法及裝置。

背景技術

隨著集成電路技術的發(fā)展和越來越廣泛的應用，集成電路設計時必須考慮其高可靠性、高性能、低成本的要求。。

目前一般是利用IC CAD仿真軟件中的器件模型對集成電路進行仿真測試的。在ICCAD軟件中，MOSFET的器件模型是將集成電路器件設計和集成電路器件產(chǎn)品功能與性能聯(lián)系起來的關鍵紐帶。伴隨著集成器件尺寸越來越小，集成規(guī)模越來越大，集成電路工序越來越復雜，對器件模型的精度要求也越來越高。

隨著集成電路在極端高溫及極端低溫領域的應用，需要半導體器件模型能夠在更寬泛的溫度區(qū)域內(nèi)進行仿真，但是現(xiàn)有技術的器件模型一般都只在一定溫度范圍內(nèi)適用，超過一定的溫度范圍則仿真精度就可能不滿足仿真要求。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明實施例提供了一種半導體器件模型的建模方法及裝置，用于解決現(xiàn)有技術中的器件模型只能在一定的溫度范圍內(nèi)適用，導致在更寬泛的溫度范圍內(nèi)對集成電路器件進行仿真時，仿真精度得不到確保的技術問題。

本發(fā)明提供一種半導體器件模型的建模方法，所述方法包括：

根據(jù)集成電路器件的歷史仿真結(jié)果確定至少一個溫度區(qū)間；所述歷史仿真結(jié)果為利用歷史半導體器件模型對性能測試數(shù)據(jù)進行仿真的結(jié)果，所述性能測試數(shù)據(jù)為對所述集成電路器件進行仿真時所需的數(shù)據(jù)；

針對不同的溫度區(qū)間，提取出對應的器件模型參數(shù)，根據(jù)所述模型參數(shù)建立對應的子器件模型；

合并所述子器件模型，獲得當前半導體器件模型；

當需要再次對所述集成電路器件進行仿真時，接收所述至少一個溫度區(qū)間的當前標識值，根據(jù)所述當前標識值在所述當前半導體器件模型中確定出對應的子器件模型；

利用所述對應的子器件模型對所述集成電路器件進行仿真。

可選的，所述根據(jù)所述模型參數(shù)建立對應的子器件模型后，還包括：

為每個所述溫度區(qū)間設置對應的標識值；

根據(jù)每個所述溫度區(qū)間、每個所述溫度區(qū)間對應的標識值以及每個所述溫度區(qū)間對應的子器件模型生成映射表；所述映射表中存儲有所述溫度區(qū)間、所述標識值以及所述子器件模型之間的對應關系。

可選的，所述根據(jù)所述當前標識值在所述半導體器件模型中確定出對應的子器件模型，包括：

遍歷所述映射表，在所述映射表中將所述溫度區(qū)間的當前標識值與各標識值進行一一匹配；

獲得與所述當前標識值匹配成功的所述標識值；

基于匹配成功的所述標識值在所述映射表中查找對應的子器件模型。

可選的，所述根據(jù)集成電路器件的歷史仿真結(jié)果確定至少一個溫度區(qū)間，包括：

根據(jù)所述歷史仿真結(jié)果與性能測試數(shù)據(jù)之間的擬合度確定出所述至少一個溫度區(qū)間。