[發明專利]一種半導體器件模型的建模方法及裝置在審
| 申請號: | 202010410498.4 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111680465A | 公開(公告)日: | 2020-09-18 |
| 發明(設計)人: | 卜建輝;王成成;李垌帥;劉海南;曾傳濱;韓鄭生;羅家俊 | 申請(專利權)人: | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號: | G06F30/3308 | 分類號: | G06F30/3308 |
| 代理公司: | 北京華沛德權律師事務所 11302 | 代理人: | 房德權 |
| 地址: | 100029 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體器件 模型 建模 方法 裝置 | ||
1.一種半導體器件模型的建模方法,其特征在于,所述方法包括:
根據集成電路器件的歷史仿真結果確定至少一個溫度區間;所述歷史仿真結果為利用歷史半導體器件模型對性能測試數據進行仿真的結果,所述性能測試數據為對所述集成電路器件進行仿真時所需的數據;
針對不同的溫度區間,提取出對應的器件模型參數,根據所述模型參數建立對應的子器件模型;
合并所述子器件模型,獲得當前半導體器件模型;
當需要再次對所述集成電路器件進行仿真時,接收所述至少一個溫度區間的當前標識值,根據所述當前標識值在所述當前半導體器件模型中確定出對應的子器件模型;
利用所述對應的子器件模型對所述集成電路器件進行仿真。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據所述模型參數建立對應的子器件模型后,還包括:
為每個所述溫度區間設置對應的標識值;
根據每個所述溫度區間、每個所述溫度區間對應的標識值以及每個所述溫度區間對應的子器件模型生成映射表;所述映射表中存儲有所述溫度區間、所述標識值以及所述子器件模型之間的對應關系。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,所述根據所述當前標識值在所述半導體器件模型中確定出對應的子器件模型,包括:
遍歷所述映射表,在所述映射表中將所述溫度區間的當前標識值與各標識值進行一一匹配;
獲得與所述當前標識值匹配成功的所述標識值;
基于匹配成功的所述標識值在所述映射表中查找對應的子器件模型。
4.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述根據集成電路器件的歷史仿真結果確定至少一個溫度區間,包括:
根據所述歷史仿真結果與性能測試數據之間的擬合度確定出所述至少一個溫度區間。
5.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述針對不同的溫度區間,提取出對應的器件模型參數,根據所述模型參數建立對應的子器件模型,包括:
針對不同的溫度區間,基于預設的擬合度將各溫度區間對應的歷史子仿真結果與所述性能測試數據進行擬合;
基于擬合后的所述歷史子仿真結果,獲得目標閾值電壓和目標溫度系數;
根據所述目標閾值電壓和目標溫度系數建立對應的子器件模型。
6.一種半導體器件模型的建模裝置,其特征在于,所述裝置包括:
第一確定單元,用于根據集成電路器件的歷史仿真結果確定至少一個溫度區間;所述歷史仿真結果為利用歷史半導體器件模型對性能測試數據進行仿真的結果,所述性能測試數據為對所述集成電路器件進行仿真時所需的數據;
建立單元,用于針對不同的溫度區間,提取出對應的器件模型參數,根據所述模型參數建立對應的子器件模型;
合并單元,用于合并所述子器件模型,獲得當前半導體器件模型;
第二確定單元,用于當需要再次對所述集成電路器件進行仿真時,接收溫度區間的當前標識值,根據所述當前標識值在所述半導體器件模型中確定出對應的子器件模型;
仿真單元,用于利用所述對應的子器件模型對所述集成電路器件進行仿真。
7.如權利要求6所述的裝置,其特征在于,所述建立單元,還用于:
為每個所述溫度區間設置對應的標識值;
根據每個所述溫度區間、每個所述溫度區間對應的標識值以及每個所述溫度區間對應的子器件模型生成映射表;所述映射表中存儲有所述溫度區間、所述標識值以及所述子器件模型之間的對應關系。
8.如權利要求7所述的裝置,其特征在于,所述建立單元具體用于:
遍歷所述映射表,在所述映射表中將所述溫度區間的當前標識值與各標識值進行一一匹配;
獲得與所述當前標識值匹配成功的所述標識值;
基于匹配成功的所述標識值在所述映射表中查找對應的子器件模型。
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