[發明專利]一種半導體刻蝕機上的托盤結構在審
| 申請號: | 202010410194.8 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111599741A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發明(設計)人: | 徐俊 | 申請(專利權)人: | 杭州易正科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司 11246 | 代理人: | 曹立成 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 刻蝕 托盤 結構 | ||
本發明公開了一種半導體刻蝕機上的托盤結構,包括托盤,托盤的下端面上成型有主軸,托盤的上端面上成型有若干組裝載槽,裝載槽繞托盤的中心軸線呈環形均勻分布;所述的裝載槽由一個圓形的內凹槽和兩個圓形的外凹槽組成,內凹槽和外凹槽分布在等腰三角的三角形,內凹槽位于托盤的內圈并繞托盤的中心軸線呈環形均勻分布,外凹槽位于托盤的外圈并繞托盤的中心軸線呈環形均勻分布;內凹槽或外凹槽的底面上均插接固定有兩個密封墊圈,密封墊圈之間的內凹槽或外凹槽底面上成型有若干負壓孔;所述密封墊圈內側的內凹槽或外凹槽底面上成型有冷卻進孔和冷卻出孔。
技術領域
本發明涉及刻蝕機的技術領域,更具體地說涉及一種半導體刻蝕機上的托盤結構。
背景技術
現有技術中刻蝕機托盤是刻蝕機動作過程中半導體硅片的載體,實現對硅片夾持、定位、引導氦氣冷卻等功能,與硅片直接接觸,是實現刻蝕工藝的核心部件之一。為了提高刻蝕過程的生產效率,同一件托盤上設計多達十幾個工位,而裝載硅片時采用機械手逐個吸持硅片,安放到托盤的各個工位內,需要機械手反復進行操作十幾次,裝載硅片需要一定的時間,進而無法提高半導體的生產效果。
發明內容
本發明的目的就是針對現有技術之不足,而提供了一種半導體刻蝕機上的托盤結構,其將托盤上的多個硅片工位設計成一個單元,利用機械手一次吸持多塊硅片,可同時安放到同一單元內的工位內,可以縮減機械手操作的次數,縮短裝載硅片所需的時間。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種半導體刻蝕機上的托盤結構,包括托盤,托盤的下端面上成型有主軸,托盤的上端面上成型有若干組裝載槽,裝載槽繞托盤的中心軸線呈環形均勻分布;所述的裝載槽由一個圓形的內凹槽和兩個圓形的外凹槽組成,內凹槽和外凹槽分布在等腰三角的三角形,內凹槽位于托盤的內圈并繞托盤的中心軸線呈環形均勻分布,所述的外凹槽位于托盤的外圈并繞托盤的中心軸線呈環形均勻分布;所述的內凹槽或外凹槽的底面上均插接固定有兩個密封墊圈,密封墊圈之間的內凹槽或外凹槽底面上成型有若干負壓孔;所述密封墊圈內側的內凹槽或外凹槽底面上成型有冷卻進孔和冷卻出孔。
優選的,所述托盤上內凹槽或外凹槽的中心均插接固定有墊塊,墊塊的上端面和密封墊圈的上端面相齊平,密封墊圈的上端面低于托盤的上端面。
優選的,所述負壓孔正下方的托盤內成型有若干與負壓孔相連通的環形氣道,托盤內成型有連通相鄰氣道的弧形氣道,托盤的中心成型有吸氣孔,托盤內成型有連通吸氣孔和弧形氣道或托盤內、外圈弧形氣道的通氣槽。
優選的,所述冷卻進孔正下方的托盤內成型有若干與冷卻進孔相連通并呈C型的外槽道,冷卻出孔正下方的托盤內成型有若干與冷卻進孔相連通并呈C型的內槽道,吸氣孔四周的托盤內成型有兩道圓弧形的進氣槽和出氣槽;所述的托盤內成型有連通進氣槽與外槽道或托盤內、外圈外槽道的進氣通道,托盤內成型有連通出氣槽與內槽道或托盤內、外圈內槽道的出氣通道。
優選的,所述的進氣通道分布在內槽道的槽口內,出氣通道分布在外槽道的槽口內。
優選的,所述托盤內的外槽道或內槽道位于環形氣道的下方。
優選的,所述托盤上進氣槽或出氣槽的圓弧圓心位于吸氣孔的中心軸線上。
本發明的有益效果在于:其將托盤上的多個硅片工位設計成一個單元,利用機械手一次吸持多塊硅片,可同時安放到同一單元內的工位內,可以縮減機械手操作的次數,縮短裝載硅片所需的時間。
附圖說明
圖1為本發明立體的結構示意圖;
圖2為本發明俯視的結構示意圖;
圖3為本發明正視的立體結構示意圖;
圖4為圖3中A-A處的剖視結構示意圖;
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





