[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010410194.8 | 申請日: | 2020-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN111599741A | 公開(公告)日: | 2020-08-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐俊 | 申請(專利權(quán))人: | 杭州易正科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11246 | 代理人: | 曹立成 |
| 地址: | 310000 浙江省杭州市西*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 刻蝕 托盤 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),包括托盤(1),托盤(1)的下端面上成型有主軸(11),其特征在于:托盤(1)的上端面上成型有若干組裝載槽(a),裝載槽(a)繞托盤(1)的中心軸線呈環(huán)形均勻分布;所述的裝載槽(a)由一個圓形的內(nèi)凹槽(12)和兩個圓形的外凹槽(13)組成,內(nèi)凹槽(12)和外凹槽(13)分布在等腰三角的三角形,內(nèi)凹槽(12)位于托盤(1)的內(nèi)圈并繞托盤(1)的中心軸線呈環(huán)形均勻分布,所述的外凹槽(13)位于托盤(1)的外圈并繞托盤(1)的中心軸線呈環(huán)形均勻分布;所述的內(nèi)凹槽(12)或外凹槽(13)的底面上均插接固定有兩個密封墊圈(2),密封墊圈(2)之間的內(nèi)凹槽(12)或外凹槽(13)底面上成型有若干負壓孔(14);所述密封墊圈(2)內(nèi)側(cè)的內(nèi)凹槽(12)或外凹槽(13)底面上成型有冷卻進孔(15)和冷卻出孔(16)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),其特征在于:所述托盤(1)上內(nèi)凹槽(12)或外凹槽(13)的中心均插接固定有墊塊(3),墊塊(3)的上端面和密封墊圈(2)的上端面相齊平,密封墊圈(2)的上端面低于托盤(1)的上端面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),其特征在于:所述負壓孔(14)正下方的托盤(1)內(nèi)成型有若干與負壓孔(14)相連通的環(huán)形氣道(17),托盤(1)內(nèi)成型有連通相鄰氣道的弧形氣道(18),托盤(1)的中心成型有吸氣孔(19),托盤(1)內(nèi)成型有連通吸氣孔(19)和弧形氣道(18)或托盤(1)內(nèi)、外圈弧形氣道(18)的通氣槽(110)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),其特征在于:所述冷卻進孔(15)正下方的托盤(1)內(nèi)成型有若干與冷卻進孔(15)相連通并呈C型的外槽道(113),冷卻出孔(16)正下方的托盤(1)內(nèi)成型有若干與冷卻進孔(15)相連通并呈C型的內(nèi)槽道(114),吸氣孔(19)四周的托盤(1)內(nèi)成型有兩道圓弧形的進氣槽(111)和出氣槽(112);所述的托盤(1)內(nèi)成型有連通進氣槽(111)與外槽道(113)或托盤(1)內(nèi)、外圈外槽道(113)的進氣通道(115),托盤(1)內(nèi)成型有連通出氣槽(112)與內(nèi)槽道(114)或托盤(1)內(nèi)、外圈內(nèi)槽道(114)的出氣通道(116)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的進氣通道(115)分布在內(nèi)槽道(114)的槽口內(nèi),出氣通道(116)分布在外槽道(113)的槽口內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),其特征在于:所述托盤(1)內(nèi)的外槽道(113)或內(nèi)槽道(114)位于環(huán)形氣道(17)的下方。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種半導(dǎo)體刻蝕機上的托盤結(jié)構(gòu),其特征在于:所述托盤(1)上進氣槽(111)或出氣槽(112)的圓弧圓心位于吸氣孔(19)的中心軸線上。
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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