[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010408963.0
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN111952270A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 川島崇功;門口卓矢;浦本幸治;小川泰弘
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L23/488
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖

1.一種半導體裝置，包括：

半導體元件；

密封體，密封所述半導體元件；以及

導體部件，在所述密封體的內部經由焊料層與所述半導體元件接合，

所述導體部件具有與所述焊料層接觸的接合面和從所述接合面的周緣延伸的側面，

在所述側面設置有非粗糙化區域和表面粗糙度大于所述非粗糙化區域的粗糙化區域，

所述非粗糙化區域與所述接合面的所述周緣相鄰。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

所述粗糙化區域位于與所述接合面的所述周緣分離的位置。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其中，

所述導體部件具有板狀部和從所述板狀部的一個表面凸出的凸出部，

所述接合面以及所述側面位于所述凸出部。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，

在所述板狀部的所述一個表面，沿著所述凸出部的周圍設置有槽，

所述非粗糙化區域從所述接合面的所述周緣延伸至所述槽。

5.根據權利要求1至4中任意一項所述的半導體裝置，其中，

所述側面以越遠離接合面就越向外側偏移的方式傾斜。

6.根據權利要求1至5中任意一項所述的半導體裝置，其中，

所述側面具有：沿著所述接合面的周緣排列的多個平面、和分別位于所述多個平面之中相鄰的兩個平面之間的多個角部，

所述粗糙化區域設置于所述多個平面之中的至少兩個平面。

7.根據權利要求6所述的半導體裝置，其中，

所述粗糙化區域設置于所述多個平面之中的各個平面。

8.根據權利要求6或者7所述的半導體裝置，其中，

在所述多個平面之中的至少一個平面設置有2個以上的所述粗糙化區域。

9.根據權利要求6至8中任意一項所述的半導體裝置，其中，

所述粗糙化區域位于與所述角部分離的范圍。

10.根據權利要求6至8中任意一項所述的半導體裝置，其中，

所述粗糙化區域位于包括所述角部在內的范圍。