[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010408963.0
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN111952270A
• 公開（公告）日: 2020-11-17
• 發明（設計）人: 川島崇功;門口卓矢;浦本幸治;小川泰弘
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L23/492
• 分類號: H01L23/492;H01L23/488
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何沖

本發明公開一種半導體裝置，包括：半導體元件；密封體，密封半導體元件；以及導體部件，在密封體的內部經由焊料層與半導體元件接合。導體部件具有與焊料層接觸的接合面和從接合面的周緣延伸的側面。在側面設置有非粗糙化區域和表面粗糙度大于非粗糙化區域的粗糙化區域。并且，非粗糙化區域與接合面的周緣相鄰。

技術領域

本說明書公開的技術涉及一種半導體裝置。

背景技術

日本特開2009-146950號公報公開了一種半導體裝置。該半導體裝置具備半導體元件、密封半導體元件的密封體、和在密封體的內部與半導體元件接合的導體部件。半導體元件與導體部件之間經由焊料層而接合。

發明內容

在將半導體元件與導體部件之間焊接時，多余的焊料可能從半導體元件與導體部件之間溢出。此時，如果多余的焊料向半導體元件浸潤擴散，則可能招致半導體元件短路、絕緣不良等故障。因此，優選多余的焊料沿著導體部件浸潤擴散。然而，如果導體部件的表面被焊料大范圍覆蓋，則導體部件與密封體之間的緊密結合性下降，從而例如半導體裝置的耐久性可能下降。本說明書提供一種能夠抑制這樣的情況而提高半導體裝置的耐久性的技術。

本說明書公開的半導體裝置具備：半導體元件；密封體，密封半導體元件；以及導體部件，在密封體的內部經由焊料層與半導體元件接合。導體部件具有與焊料層接觸的接合面和從接合面的周緣延伸的側面。在側面設置有非粗糙化區域、和與非粗糙化區域相比表面粗糙度較大的粗糙化區域。并且，非粗糙化區域與接合面的周緣相鄰。

在上述半導體裝置中，在導體部件的側面設置有粗糙化區域和非粗糙化區域。粗糙化區域的表面粗糙度大，因此焊料的浸潤性低。因此，在將半導體元件與導體部件之間焊接時，多余的焊料主要沿著非粗糙化區域浸潤擴散，另一方面，向粗糙化區域的浸潤擴散被抑制。由此，避免了導體部件的表面被焊料大范圍覆蓋，提高了半導體裝置的耐久性。除此之外，未被焊料覆蓋的粗糙化區域的表面粗糙度大，因此能夠與密封體牢固地結合。通過改善導體部件與密封體之間的緊密結合性，進一步提高了半導體裝置的耐久性。

附圖說明

圖1是示出實施例1的半導體裝置10的外觀的俯視圖。

圖2是沿著圖1中的II-II線的剖視圖。

圖3示出導體間隔件20的側面32。

圖4示出導體間隔件20的接合面30。

圖5是示出實施例2的半導體裝置110的外觀的俯視圖。

圖6是沿著圖5中的VI-VI線的剖視圖。

圖7示出實施例2的第二導體板119的凸出部120的側面132。

圖8示出實施例2的第二導體板119的凸出部120的接合面130。

圖9是示出實施例3的半導體裝置210的外觀的俯視圖。

圖10是沿著圖9中的X-X線的剖視圖。

圖11示出實施例3的第二導體板219的凸出部220的側面232。

圖12示出實施例3的第二導體板219的凸出部220的接合面230。

圖13示出與實施例3的半導體裝置210相關的一個變形例。

圖14示出與實施例3的半導體裝置210相關的一個變形例。

圖15示出與實施例3的半導體裝置210相關的一個變形例。

圖16示出與實施例3的半導體裝置210相關的一個變形例。

圖17示出與實施例3的半導體裝置210相關的一個變形例。