[發明專利]記憶裝置存取管理方法、記憶裝置及其控制器、電子裝置

在審

• 申請號: 202010407812.3
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN112015334A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種用來借助于信息排列進行一記憶裝置的存取管理的方法以及相關設備(例如所述記憶裝置及其控制器、以及電子裝置)。所述方法可包括：當所述主裝置發送一寫入指令至所述記憶裝置，利用所述存儲器控制器依據數據產生分別對應于所述非揮發性存儲器的多組記憶細胞的多個錯誤更正碼(簡稱ECC)組塊，以供建立所述多個ECC組塊與所述多組記憶細胞之間的一對一映射；以及利用所述存儲器控制器將所述多個ECC組塊分別存儲至所述多組記憶細胞中，以避免所述多個ECC組塊的任兩個ECC組塊共享所述多組記憶細胞的相同組記憶細胞，以加強所述存儲器控制器對于所述數據的讀取效能。本發明能確保系統妥善地運作，以避免位錯誤率、系統可靠性降低等問題。

技術領域

本發明是關于閃存的存取控制，尤指一種用來借助于信息排列進行一記憶裝置的存取管理的方法以及相關設備(例如所述記憶裝置及其控制器諸如所述記憶裝置中的一存儲器控制器、以及一電子裝置)。

背景技術

近年來由于存儲器的技術不斷地發展，各種可攜式或非可攜式記憶裝置(例如：分別符合SD/MMC、CF、MS、XD及UFS標準的記憶卡；又例如：固態硬盤(solid state drive,SSD)；又例如：分別符合UFS及EMMC規格的嵌入式(embedded)記憶裝置)被廣泛地實施于諸多應用中。因此，這些記憶裝置中的存儲器的存取控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的NAND型閃存而言，其主要可包括單階細胞(single level cell,SLC)與多階細胞(multiple level cell,MLC)兩大類的閃存。單階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞(memory cell)的晶體管只有兩種電荷值，分別用來表示邏輯值0與邏輯值1。另外，多階細胞閃存中的每個被當作記憶細胞的晶體管的存儲能力則被充分利用，是采用較高的電壓來驅動，以通過不同級別的電壓在一個晶體管中記錄至少兩位的信息(諸如00、01、11、10)。理論上，多階細胞閃存的記錄密度可以達到單階細胞閃存的記錄密度的至少兩倍，這對于曾經在發展過程中遇到瓶頸的NAND型閃存的相關產業而言，是非常好的消息。

相較于單階細胞閃存，由于多階細胞閃存的價格較便宜，并且在有限的空間里可提供較大的容量，故多階細胞閃存很快地成為市面上的記憶裝置競相采用的主流。然而，多階細胞閃存的不穩定性所導致的問題也一一浮現。為了確保在記憶裝置中對閃存的存取控制能符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數據的存取。

依據相關技術，具備上列管理機制的記憶裝置仍有不足的地方。例如，當三階細胞(triple level cell,TLC)閃存被應用于記憶裝置時，會有位錯誤率增加等問題。雖然針對自三階細胞閃存讀取數據的傳統感測方案已被提出來嘗試解決這些問題，但在具有四階細胞(Quadruple level cell,QLC)閃存的記憶裝置上并不管用。尤其，傳統感測方案對于在四階細胞閃存中的每記憶細胞的高階存儲電位(high-level per memory cell)并不好，且系統可靠性(reliability)會被最弱頁面限制。因此，需要一種新穎的方法以及相關架構，以在沒有副作用或較不會帶來副作用的情況下加強整體效能。

發明內容

本發明的一目的在于公開一種用來借助于信息排列進行一記憶裝置的存取管理的方法、相關設備(例如所述記憶裝置及其控制器諸如所述記憶裝置中的一存儲器控制器、以及一電子裝置)，以解決上述問題。

本發明的另一目的在于公開一種用來借助于信息排列進行一記憶裝置的存取管理的方法、相關設備(例如所述記憶裝置及其控制器諸如所述記憶裝置中的一存儲器控制器、以及一電子裝置)，以在沒有副作用或較不會帶來副作用的情況下加強整體效能。