[發明專利]記憶裝置存取管理方法、記憶裝置及其控制器、電子裝置

在審

• 申請號: 202010407812.3
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN112015334A
• 公開（公告）日: 2020-12-01
• 發明（設計）人: 楊宗杰
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06;G06F11/10
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種用來借助于信息排列進行一記憶裝置的存取管理的方法，其特征在于，所述記憶裝置包括一非揮發性存儲器以及用來控制所述非揮發性存儲器的存取的一存儲器控制器，所述非揮發性存儲器包括至少一非揮發性存儲器組件，所述方法包括：

若一主裝置發送一寫入指令至所述記憶裝置，利用所述存儲器控制器依據數據產生分別對應于所述非揮發性存儲器的多組記憶細胞的多個錯誤更正碼組塊，以供建立所述多個錯誤更正碼組塊與所述多組記憶細胞之間的一對一映射；以及

利用所述存儲器控制器將所述多個錯誤更正碼組塊分別存儲至所述多組記憶細胞中，以避免所述多個錯誤更正碼組塊的任兩個錯誤更正碼組塊共享所述多組記憶細胞的一相同組記憶細胞，以加強所述存儲器控制器對于所述數據的讀取效能。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述一對一映射包括分別于所述多個錯誤更正碼組塊與所述多組記憶細胞之間的一對一映射關系。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多組記憶細胞中的每一記憶細胞是用來存儲多個位。

4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述多個錯誤更正碼組塊的任一錯誤更正碼組塊包括所述多組記憶細胞中的一組記憶細胞的各自的位。

5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述多個錯誤更正碼組塊的任一錯誤更正碼組塊包括由所述多組記憶細胞中的一組記憶細胞的各自的位形成的一個二維陣列的位信息。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲器控制器控制所述非揮發性存儲器通過所述非揮發性存儲器中的多個字線的一相同字線來存取所述多組記憶細胞。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述存儲器控制器控制所述非揮發性存儲器分別通過所述非揮發性存儲器中的多個位線來存取所述多組記憶細胞。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述存儲器控制器控制所述非揮發性存儲器通過所述非揮發性存儲器中的多個位線的一對應的位線來存取所述多組記憶細胞中的任一記憶細胞。

9.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述多組記憶細胞是用來存儲對應于一組邏輯頁面的一混合頁面，以及所述組邏輯頁面中的一第一邏輯頁面的一第一位與所述組邏輯頁面中的一第二邏輯頁面的一第一位是被組態成存儲于所述多組記憶細胞中的一相同記憶細胞中。

10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述多組記憶細胞是用來存儲對應于一組邏輯頁面的一混合頁面，以及所述組邏輯頁面中的一第一邏輯頁面的一第一位與所述組邏輯頁面中的一第二邏輯頁面的一第一位是被組態成存儲于所述多組記憶細胞中的一相同記憶細胞中。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，所述第一邏輯頁面的所述第一位、所述第二邏輯頁面的所述第一位、以及所述組邏輯頁面中的至少一其它邏輯頁面的至少一第一位是被組態成存儲于所述相同記憶細胞中。

12.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述存儲器控制器控制所述非揮發性存儲器通過所述非揮發性存儲器中的多個位線的一對應的位線來存取所述多組記憶細胞中的任一記憶細胞。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，所述多組記憶細胞中的所述任一記憶細胞是用來存儲多個位。