[發明專利]一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請號: 202010407293.0
• 申請日: 2020-05-14
• 公開（公告）號: CN111540794B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 廖暉;馬玉超;單偉;何勝;徐偉智
• 申請（專利權）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司;海寧正泰新能源科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0216
• 分類號: H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 王雨

本發明公開了一種P型鈍化接觸太陽能電池，通過從迎光面到背光面依次接觸設置的正面柵線、正面外延層、N型擴散層、P型基體硅、背面外延層及背面柵線；所述正面外延層包括正面接觸鈍化層及正面覆蓋鈍化層；所述正面接觸鈍化層設置于所述P型鈍化接觸太陽能電池的正面的金屬區；所述正面覆蓋鈍化層設置于所述正面的非金屬區；所述正面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括磷摻雜多晶硅層及第一二氧化硅層。本發明降低了金屬?半導體連接處的復合速率，提高了電池的發電效率，由于所述金屬區只占整個太陽能電池表面的小部分，進而提升電池片的發電效率。本發明同時還提供了一種具有上述有益效果的P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法。

技術領域

本發明涉及光伏發電領域，特別是涉及一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制作方法。

背景技術

太陽能作為一種可再生能源，從發明初期就受到全世界的重視，進入21世紀后，越來越多的太陽能電池發電技術得到發展，作為太陽能光電利用中發展最快的領域之一，晶體硅電池的技術發展頗受矚目，但其度電成本的限制導致市場競爭不足，解決這一問題的方法歸根結底是技術創新，人們不斷研制開發更具潛力的電池結構，優化工藝制程，從而提升晶硅電池效益。

現有的太陽能電池，經過絲網印刷與燒結后，金屬電極直接與半導體機體接觸，導致復合速率仍然較高，使得目前電池效率與理論效率仍差距較大。而目前為了解決金屬電極的接觸問題，通常采用摻雜多晶硅的整面鈍化層改善電極接觸性能，但摻雜多晶硅又具有較強的吸光特性，使得一部分入射光不能被電池有效利用，造成光寄生損失導致電流密度下降，拉低太陽能電池發電效率。

因此，如何找到一種在保證電極接觸性能良好的同時，避免多晶硅導致的光寄生損失的方法，是本領域技術人員亟待解決的問題。

發明內容

本發明的目的是提供一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制作方法，以解決現有技術中由于降低多晶硅吸光效應太強導致光寄生損失與改善金屬電極接觸性能不可兼得的問題。

為解決上述技術問題，本發明提供一種P型鈍化接觸太陽能電池，包括：

從迎光面到背光面依次接觸設置的正面柵線、正面外延層、N型擴散層、P型基體硅、背面外延層及背面柵線；

所述正面外延層包括正面接觸鈍化層及正面覆蓋鈍化層；

所述正面接觸鈍化層設置于所述P型鈍化接觸太陽能電池的正面的金屬區；所述正面覆蓋鈍化層設置于所述正面的非金屬區；

所述正面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括磷摻雜多晶硅層及第一二氧化硅層。

可選地，在所述的P型鈍化接觸太陽能電池中，所述背面外延層包括背面接觸鈍化層及背面覆蓋鈍化層；

所述背面接觸鈍化層設置于所述P型鈍化接觸太陽能電池的背面的金屬區；所述背面覆蓋鈍化層設置于所述背面的非金屬區；

所述背面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括第二二氧化硅層及硼摻雜多晶硅層。

可選地，在所述的P型鈍化接觸太陽能電池中，所述背面接觸鈍化層還包括第一氧化鋁層；

所述背面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括第二二氧化硅層、硼摻雜多晶硅層及所述第一氧化鋁層。

可選地，在所述的P型鈍化接觸太陽能電池中，所述正面金屬區及所述背面金屬區為表面拋光的平面結構。

可選地，在所述的P型鈍化接觸太陽能電池中，所述正面覆蓋鈍化層從迎光面到背光面依次包括第一氮化硅層及第三二氧化硅層。

可選地，在所述的P型鈍化接觸太陽能電池中，所述背面覆蓋鈍化層從迎光面到背光面依次包括第二氧化鋁層及第二氮化硅層。

可選地，在所述的P型鈍化接觸太陽能電池中，所述P型鈍化接觸太陽能電池為表面制絨的太陽能電池。