[發(fā)明專利]一種P型鈍化接觸太陽能電池及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010407293.0
• 申請(qǐng)日: 2020-05-14
• 公開（公告）號(hào): CN111540794B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖暉;馬玉超;單偉;何勝;徐偉智
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 浙江正泰太陽能科技有限公司;海寧正泰新能源科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0216
• 分類號(hào): H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王雨

1.一種P型鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，包括：

從迎光面到背光面依次接觸設(shè)置的正面柵線、正面外延層、N型擴(kuò)散層、P型基體硅、背面外延層及背面柵線；

所述正面外延層包括正面接觸鈍化層及正面覆蓋鈍化層；

所述正面接觸鈍化層設(shè)置于所述P型鈍化接觸太陽能電池的正面的金屬區(qū)；所述正面覆蓋鈍化層設(shè)置于所述正面的非金屬區(qū)；

所述正面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括磷摻雜多晶硅層及第一二氧化硅層；其中，所述第一二氧化硅層與所述P型基體硅接觸設(shè)置；

所述P型鈍化接觸太陽能電池的正面的金屬區(qū)及背面的金屬區(qū)為經(jīng)過堿拋光的平面結(jié)構(gòu)；其中，堿拋減重的范圍為0.2g-0.35g，堿拋光后的表面反射率＞40％；

所述背面外延層包括背面接觸鈍化層及背面覆蓋鈍化層；

所述背面接觸鈍化層設(shè)置于所述P型鈍化接觸太陽能電池的背面的金屬區(qū)；所述背面覆蓋鈍化層設(shè)置于所述背面的非金屬區(qū)；

所述背面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括第二二氧化硅層及硼摻雜多晶硅層；

所述硼摻雜多晶硅的摻雜表面濃度為5E+19/cm³-1E+20/cm³；

所述第一二氧化硅層及所述磷摻雜多晶硅層的制備包括：

在所述N型擴(kuò)散層表面設(shè)置掩膜層；

對(duì)所述掩膜層進(jìn)行刻蝕，去除覆蓋在所述正面的金屬區(qū)上方的所述掩膜層，得到掩膜硅片；對(duì)所述掩膜硅片進(jìn)行堿拋光；

在所述掩膜硅片的正面依次設(shè)置第一二氧化硅層及磷摻雜多晶硅層。

2.如權(quán)利要求1所述的P型鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述背面接觸鈍化層還包括第一氧化鋁層；

所述背面接觸鈍化層從迎光面到背光面依次包括第二二氧化硅層、硼摻雜多晶硅層及所述第一氧化鋁層。

3.如權(quán)利要求1所述的P型鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述背面覆蓋鈍化層從迎光面到背光面依次包括第二氧化鋁層及第二氮化硅層。

4.如權(quán)利要求1所述的P型鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述正面覆蓋鈍化層從迎光面到背光面依次包括第一氮化硅層及第三二氧化硅層。

5.如權(quán)利要求1所述的P型鈍化接觸太陽能電池，其特征在于，所述P型鈍化接觸太陽能電池為表面制絨的太陽能電池。

6.一種P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：

對(duì)P型基體硅的正面進(jìn)行磷摻雜，得到N型擴(kuò)散層；

在所述N型擴(kuò)散層表面設(shè)置掩膜層；

對(duì)所述掩膜層進(jìn)行刻蝕，去除覆蓋在所述正面的金屬區(qū)上方的所述掩膜層，得到掩膜硅片；對(duì)所述掩膜硅片進(jìn)行堿拋光，其中，堿拋減重的范圍為0.2g-0.35g，堿拋光后的表面反射率＞40％；

在所述掩膜硅片的正面依次設(shè)置第一二氧化硅層及磷摻雜多晶硅層，得到待鈍化硅片；其中，所述第一二氧化硅層與所述P型基體硅接觸設(shè)置；

去除所述待鈍化硅片的所述掩膜層；

在去除所述掩膜層的所述待鈍化硅片的正面設(shè)置正面覆蓋鈍化層，在去除所述掩膜層的所述待鈍化硅片的背面設(shè)置背面外延層，得到半成品硅片；

在所述半成品硅片表面設(shè)置正面電極及背面電極，得到所述P型鈍化接觸太陽能電池；

所述在所述N型擴(kuò)散層表面設(shè)置掩膜層還包括：

在所述N型擴(kuò)散層表面及所述P型基體硅的背面設(shè)置掩膜層；

相應(yīng)地，所述在所述掩膜硅片的正面依次設(shè)置第一二氧化硅層及磷摻雜多晶硅層，得到待鈍化硅片具體為：

對(duì)所述掩膜硅片進(jìn)行雙面氧化，得到設(shè)置于所述掩膜硅片的正面的第一二氧化硅層及設(shè)置于所述掩膜硅片的背面的第二二氧化硅層，在所述第一二氧化硅層表面設(shè)置磷摻雜多晶硅層，在所述第二二氧化硅層表面設(shè)置硼摻雜多晶硅層，得到待鈍化硅片；

所述硼摻雜多晶硅的摻雜表面濃度為5E+19/cm³-1E+20/cm³。

7.如權(quán)利要求6所述的P型鈍化接觸太陽能電池的制作方法，其特征在于，在得到待鈍化硅片后，還包括：

在所述待鈍化硅片的表面的金屬區(qū)進(jìn)行蠟印刷，得到蠟封層；

將經(jīng)過蠟印刷的待鈍化硅片進(jìn)行堿洗；

去除經(jīng)過堿洗的待鈍化硅片的所述蠟封層；

相應(yīng)地，所述去除所述待鈍化硅片的所述掩膜層具體為：

去除去掉所述蠟封層后的待鈍化硅片的所述掩膜層。