[發(fā)明專利]顯示裝置和電子裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010406218.2 | 申請日: | 2020-05-14 |
| 公開(公告)號: | CN111952338A | 公開(公告)日: | 2020-11-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林相勳;金玲官;李普爀;金振亨;吳榮珍;姜球賢;張成鎮(zhèn) | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人: | 張曉;韓芳 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 電子 裝置 | ||
1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
基體基底,包括顯示區(qū)域和定位在所述顯示區(qū)域的側(cè)面處的非顯示區(qū)域;
至少一個晶體管和導(dǎo)線,所述至少一個晶體管位于所述基體基底的所述顯示區(qū)域中,所述導(dǎo)線位于所述基體基底的所述非顯示區(qū)域中;
至少一個發(fā)光元件,位于所述顯示區(qū)域中并結(jié)合到所述至少一個晶體管;
封裝層,覆蓋所述發(fā)光元件;
感測電極和感測線,所述感測電極位于所述封裝層上,所述感測線位于所述封裝層上并結(jié)合到所述感測電極;以及
對準(zhǔn)標(biāo)記,位于所述封裝層上,并且在平面圖中在所述非顯示區(qū)域中與所述導(dǎo)線中的一些導(dǎo)線至少部分地疊置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中:
所述導(dǎo)線中的所述一些導(dǎo)線設(shè)置在所述基體基底的第一區(qū)域中,所述導(dǎo)線中的剩余導(dǎo)線設(shè)置在所述基體基底的第二區(qū)域中,并且
所述第一區(qū)域處的透射率比所述第二區(qū)域處的透射率高。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述導(dǎo)線中的所述一些導(dǎo)線之間的間距比所述剩余導(dǎo)線之間的間距大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,在所述平面圖中,從所述導(dǎo)線中的一條導(dǎo)線到所述基體基底的邊緣的最短距離小于從所述對準(zhǔn)標(biāo)記到所述基體基底的所述邊緣的最短距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中:
所述對準(zhǔn)標(biāo)記包括對準(zhǔn)圖案,并且
所述對準(zhǔn)圖案彼此間隔開,并且相鄰的對準(zhǔn)圖案具有不同的平面形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中:
所述對準(zhǔn)圖案沿著第一方向順序地布置,
所述對準(zhǔn)圖案中的每個在所述第一方向上的長度大于所述對準(zhǔn)圖案中的所述每個在第二方向上的寬度,
所述第二方向垂直于所述第一方向,并且
在所述第一方向上所述對準(zhǔn)圖案之間的間距小于所述長度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中:
在所述第一方向上的所述長度在100μm至500μm的范圍內(nèi),并且
在所述第二方向上的所述寬度在30μm至150μm的范圍內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中,在所述第一方向上的所述長度是在所述第二方向上的所述寬度的3倍至6倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置,其中:
所述對準(zhǔn)圖案中的一個具有矩形的平面形狀,并且
所述對準(zhǔn)圖案中的另一個具有三角形的平面形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中:
所述對準(zhǔn)標(biāo)記包括順序地布置的第一對準(zhǔn)圖案、第二對準(zhǔn)圖案和第三對準(zhǔn)圖案,并且
所述第一對準(zhǔn)圖案和所述第三對準(zhǔn)圖案具有相同的平面形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中:
所述導(dǎo)線中的所述一些導(dǎo)線包括沿著所述顯示區(qū)域的邊緣延伸的裂紋檢測線,并且
所述裂紋檢測線與所述至少一個晶體管電隔離。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置,其中,所述至少一個晶體管包括:
半導(dǎo)體圖案,設(shè)置在所述基體基底上;
柵電極,位于所述半導(dǎo)體圖案上并且與所述半導(dǎo)體圖案疊置;
第一絕緣層,設(shè)置在所述柵電極上;以及
源電極和漏電極,位于所述第一絕緣層上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置,其中,所述導(dǎo)線中的所述一些導(dǎo)線與所述柵電極設(shè)置在同一層上。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





