[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202010401894.0
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN112002758A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 張星旭;金奇奐;鄭秀珍;曹榮大
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

一種半導體器件包括：在襯底上在第一方向上延伸的有源區，該有源區具有上表面和側壁；多個溝道層，其在有源區上方以彼此豎直間隔開；柵電極，其在第二方向上延伸以與有源區交叉并部分地圍繞所述多個溝道層；以及源極/漏極區，其在有源區上在柵電極的至少一側并與所述多個溝道層接觸，并且從有源區的側壁延伸，并且在與所述多個溝道層當中與有源區相鄰的最下溝道層相鄰的第一區域中在第二方向上具有大寬度。

相關申請的交叉引用

本申請要求2019年5月27日提交于韓國知識產權局的韓國專利申請No.10-2019-0061678的優先權，其公開內容整體以引用方式并入本文中。

技術領域

本公開涉及一種半導體器件。

背景技術

隨著對高性能、高速和/或多功能半導體器件的需求增加，半導體器件的集成度也增加。在符合半導體器件中的高集成度趨勢而制造具有微圖案的半導體器件時，實現具有相對精細的寬度和/或間距的圖案可能是有利的。已做出各種努力來開發包括三維溝道的半導體器件，以克服由平面金屬氧化物半導體FET(MOSFET)的小型化和/或縮小導致的操作特性的限制。

發明內容

示例實施例提供了一種具有改進的電特性的半導體器件。

根據示例實施例，一種半導體器件包括：在襯底上在第一方向上延伸的有源區，有源區具有上表面和側壁；多個溝道層，其設置在有源區上以彼此豎直間隔開；柵電極，其在第二方向上延伸以與有源區交叉并部分地圍繞所述多個溝道層；以及源極/漏極區，其在有源區上柵電極的至少一側，并與所述多個溝道層接觸。源極/漏極區從有源區的側壁延伸并在與多個溝道層當中與有源區相鄰的最下溝道層相鄰的第一區域中在第二方向上的大寬度處具有最寬局部寬度。

根據示例實施例，一種半導體器件包括：有源區，其在襯底上在第一方向上延伸；第一溝道層和第二溝道層，其在有源區上方順序地彼此豎直間隔開；柵電極，其在第二方向上延伸以與襯底上的有源區交叉并圍繞第一溝道層和第二溝道層；以及源極/漏極區，其在有源區上在柵電極的至少一側并被設置為與第一溝道層和第二溝道層接觸。源極/漏極區在與第一溝道層相鄰的區域中在第二方向上具有第一大寬度，并且在與第二溝道層相鄰的區域中在第二方向上具有小于第一大寬度的第二大寬度。

根據示例實施例，一種半導體器件包括：在襯底上在第一方向上延伸的有源區，該有源區具有上表面和側壁；柵電極，其在第二方向上延伸以與襯底上的有源區交叉；多個溝道層，其在有源區上以在有源區和柵電極彼此交叉的區域中彼此豎直間隔開；間隔物層，其在第二方向上在有源區的側壁上并暴露有源區的上表面和部分側壁；以及源極/漏極區，其在有源區上在柵電極的至少一側并與所述多個溝道層接觸。源極/漏極區從通過間隔物層暴露的有源區的側壁延伸以相對于襯底的上表面傾斜，以具有從有源區的兩側延伸的寬度。

附圖說明

本公開的以上和其它方面、特征和優點將從以下結合附圖進行的詳細描述更清楚地理解，附圖中：

圖1是根據示例實施例的半導體器件的俯視圖；

圖2是根據示例實施例的半導體器件的截面圖；

圖3A和圖3B分別是根據示例實施例的半導體器件的俯視圖和截面圖；

圖4是根據示例實施例的半導體器件的截面圖；

圖5A至圖5C是根據示例實施例的半導體器件的截面圖；

圖6是根據示例實施例的半導體器件的截面圖；

圖7A至圖7J是示出根據示例實施例的半導體器件的制造方法的截面圖。

具體實施方式

以下，將參照附圖描述示例實施例。