[發明專利]半導體器件

在審

• 申請號: 202010401894.0
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN112002758A
• 公開（公告）日: 2020-11-27
• 發明（設計）人: 張星旭;金奇奐;鄭秀珍;曹榮大
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/08;H01L21/336
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體器件，包括：

在襯底上在第一方向上延伸的有源區，所述有源區具有上表面和側壁；

多個溝道層，其在所述有源區上以彼此豎直地間隔開；

柵電極，其在第二方向上延伸以與所述有源區交叉并圍繞所述多個溝道層；以及

源極/漏極區，其在所述有源區上在所述柵電極的至少一側并與所述多個溝道層接觸，并且從所述有源區的側壁延伸，所述源極/漏極區在與所述多個溝道層當中的與所述有源區相鄰的最下溝道層相鄰的第一區域中在所述第二方向上具有大寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述多個溝道層包括從所述有源區順序地堆疊的第一溝道層至第三溝道層，并且

所述第一區域高于所述有源區的上表面并低于所述第一溝道層的上表面。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區在所述第一區域中具有作為所述大寬度的第一大寬度，并且在具有與所述第三溝道層設置的高度對應的高度的第二區域中具有小于所述第一大寬度的第二大寬度。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區包括在所述第一區域和所述第二區域之間具有小于所述第一大寬度和所述第二大寬度的第三寬度的區域。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區在具有與所述第二溝道層設置的高度對應的高度的第三區域中具有小于所述第一大寬度的第四大寬度。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區具有從所述有源區的側壁延伸的相對于所述襯底的上表面傾斜的第一表面，并且所述第一表面是沿著所述有源區的晶面的切面。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區具有連接到所述第一表面的第二表面，并且所述第二表面是沿著晶面的切面。

8.根據權利要求7所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區在所述第一表面和所述第二表面之間的邊界上具有所述大寬度。

9.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括:

間隔物層，其在所述有源區的側壁上以暴露所述有源區的上表面和部分側表面。

10.根據權利要求9所述的半導體器件，其中，所述源極/漏極區與所述間隔物層接觸并覆蓋通過所述間隔物層暴露的所述有源區的整個側壁。

11.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括:

內部間隔物層，其在所述第一方向上在所述柵電極的相對側并且在所述多個溝道層的下表面上。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其中，與在具有與所述多個溝道層中的每一個的高度對應的高度的區域中相比，所述源極/漏極區在具有與各個內部間隔物層的高度對應的高度的區域中具有在所述第二方向上更小的局部最小寬度。

13.根據權利要求1所述的半導體器件，還包括:

連接到所述源極/漏極區的接觸插塞。

14.根據權利要求13所述的半導體器件，其中，所述接觸插塞在所述源極/漏極區中凹陷至所述多個溝道層當中的最上溝道層的高度以下。

15.根據權利要求1所述的半導體器件，其中，所述有源區是具有上鰭表面以及在所述第一方向上延伸的側面的有源鰭的結構。