[發(fā)明專利]顯示設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010401808.6
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN112117293A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李智慧;金璟陪;李柔辰;蔡鍾哲
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/24;H01L33/38
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

公開了顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備包括：基底層；位于基底層上的像素電路層；以及位于像素電路層上的顯示元件層。像素電路層包括位于顯示元件層與基底層之間的凹陷處的透鏡圖案，顯示元件層包括發(fā)光元件，并且發(fā)光元件的至少一部分與透鏡圖案重疊。

相關(guān)申請的交叉引用

本申請要求于2019年6月19日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0073075號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該專利申請的全部內(nèi)容通過引用并入本文中。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式涉及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)

近來，已開發(fā)了使用具有具備高可靠性的無機晶體結(jié)構(gòu)的材料制造超小型發(fā)光元件的技術(shù)以及使用發(fā)光元件制造發(fā)光器件的技術(shù)。例如，已開發(fā)了用于制造具有小到納米級或微米級的尺寸的多個超小型發(fā)光元件的技術(shù)，以及用于使用超小型發(fā)光元件制造包括像素的各種發(fā)光器件的技術(shù)。

在本背景技術(shù)部分中公開的上述信息是為了增強對本發(fā)明的背景技術(shù)的理解，并且因此，其可包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一個或多個示例性實施方式涉及包括多個發(fā)光元件的顯示設(shè)備，該顯示設(shè)備能夠通過位于顯示設(shè)備中的發(fā)光元件下方的透鏡圖案單元(例如，透鏡圖案)改善光學(xué)效率。然而，本發(fā)明不限于此，并且本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可從本文中描述的示例性實施方式中理解本發(fā)明的其它方面和特征。

根據(jù)一個或多個示例性實施方式，顯示設(shè)備包括：基底層；位于基底層上的像素電路層；以及位于像素電路層上的顯示元件層。像素電路層包括位于顯示元件層與基底層之間的凹陷處的透鏡圖案，顯示元件層包括發(fā)光元件，并且發(fā)光元件的至少一部分與透鏡圖案重疊。

在一個或多個示例性實施方式中，顯示元件層可包括第一電極和與第一電極間隔開的第二電極，并且發(fā)光元件可位于第一電極與第二電極之間。

在一個或多個示例性實施方式中，發(fā)光元件可包括第一半導(dǎo)體層、包圍第一半導(dǎo)體層的至少一部分的有源層以及與第一半導(dǎo)體層的類型不同類型并且包圍有源層的至少一部分的第二半導(dǎo)體層。

在一個或多個示例性實施方式中，發(fā)光元件可包括第一端部和第二端部，第一端部包括有源層，并且第二端部不包括有源層。

在一個或多個示例性實施方式中，顯示元件層可包括位于第一電極上并電連接至第一端部的第一接觸電極以及位于第二電極上并電連接至第二端部的第二接觸電極。

在一個或多個示例性實施方式中，像素電路層可包括多個晶體管和覆蓋多個晶體管的有機層，該有機層包括透鏡圖案。

在一個或多個示例性實施方式中，顯示元件層還可包括覆蓋第一電極、第二電極和有機層的絕緣層，并且絕緣層的折射率可大于有機層的折射率。

在一個或多個示例性實施方式中，透鏡圖案可包括不均勻圖案，并且不均勻圖案可配置成不規(guī)則地反射入射光。

在一個或多個示例性實施方式中，第一電極和第二電極可不與透鏡圖案重疊。

在一個或多個示例性實施方式中，透鏡圖案的寬度可小于發(fā)光元件的長度。

在一個或多個示例性實施方式中，透鏡圖案可與發(fā)光元件一一對應(yīng)。

在一個或多個示例性實施方式中，透鏡圖案的寬度可大于或等于發(fā)光元件的長度的兩倍。

根據(jù)一個或多個示例性實施方式，顯示設(shè)備包括：基底層；位于基底層上的像素電路層；以及位于像素電路層上的顯示元件層。像素電路層包括透鏡圖案，該透鏡圖案包括多個錐狀部分，顯示元件層包括發(fā)光元件，并且發(fā)光元件的至少一部分與透鏡圖案重疊。