[發(fā)明專利]顯示設備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010401808.6 | 申請日: | 2020-05-13 |
| 公開(公告)號: | CN112117293A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李智慧;金璟陪;李柔辰;蔡鍾哲 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;H01L33/24;H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 王達佐;劉錚 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 設備 | ||
1.顯示設備,包括:
基底層;
像素電路層,位于所述基底層上;以及
顯示元件層,位于所述像素電路層上,
其中,所述像素電路層包括位于所述顯示元件層與所述基底層之間的凹陷處的透鏡圖案,以及
其中,所述顯示元件層包括發(fā)光元件,并且所述發(fā)光元件的至少一部分與所述透鏡圖案重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示設備,其中,
所述顯示元件層包括第一電極和與所述第一電極間隔開的第二電極,并且所述發(fā)光元件位于所述第一電極與所述第二電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設備,其中,
所述發(fā)光元件包括第一半導體層、有源層和第二半導體層,其中,所述有源層包圍所述第一半導體層的至少一部分,所述第二半導體層的類型與所述第一半導體層的類型不同并且所述第二半導體層包圍所述有源層的至少一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示設備,其中,
所述發(fā)光元件包括第一端部和第二端部,所述第一端部包括所述有源層,并且所述第二端部不包括所述有源層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示設備,其中,
所述顯示元件層包括第一接觸電極和第二接觸電極,其中,所述第一接觸電極位于所述第一電極上并電連接至所述第一端部,所述第二接觸電極位于所述第二電極上并電連接至所述第二端部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設備,其中,
所述像素電路層包括多個晶體管和覆蓋所述多個晶體管的有機層,所述有機層包括所述透鏡圖案。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設備,其中,
所述顯示元件層還包括覆蓋所述第一電極、所述第二電極和所述有機層的絕緣層,以及
其中,所述絕緣層的折射率大于所述有機層的折射率。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示設備,其中,
所述透鏡圖案包括不均勻圖案,以及
其中,所述不均勻圖案配置成不規(guī)則地反射入射光。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設備,其中,
所述第一電極和所述第二電極不與所述透鏡圖案重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設備,其中,
所述透鏡圖案的寬度小于所述發(fā)光元件的長度。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示設備,其中,
所述透鏡圖案與所述發(fā)光元件一一對應。
12.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示設備,其中,
所述透鏡圖案的寬度大于或等于所述發(fā)光元件的長度的兩倍。
13.顯示設備,包括:
基底層;
像素電路層,位于所述基底層上;以及
顯示元件層,位于所述像素電路層上,
其中,所述像素電路層包括透鏡圖案,所述透鏡圖案包括多個錐狀部分,以及
其中,所述顯示元件層包括發(fā)光元件,并且所述發(fā)光元件的至少一部分與所述透鏡圖案重疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示設備,其中,
所述顯示元件層包括第一電極和與所述第一電極間隔開的第二電極,并且所述發(fā)光元件位于所述第一電極與所述第二電極之間。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設備,其中,
所述發(fā)光元件包括第一半導體層、有源層和第二半導體層,其中,所述有源層包圍所述第一半導體層的至少一部分,所述第二半導體層的類型與所述第一半導體層的類型不同并且所述第二半導體層包圍所述有源層的至少一部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





