[發(fā)明專利]一種顯示面板的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010401779.3 | 申請日： | 2020-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN111584506A | 公開（公告）日： | 2020-08-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄧永 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 唐秀萍 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 顯示 面板 制作方法 | ||
本發(fā)明提供一種顯示面板的制作方法，該方法包括：在襯底基板上依次制作半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一金屬層以及光阻部；所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物；通過所述光阻部對所述第一金屬層和所述柵絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以形成柵極并且將未被所述光阻部覆蓋的半導(dǎo)體層裸露在外；對所述裸露在外的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化處理，形成連接部以及在對所述裸露在外的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化處理的同時使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；采用預(yù)設(shè)氣體對所述基底進(jìn)行處理，以將硬化的光阻部去除；所述預(yù)設(shè)氣體為含氟元素的特殊氣體；將剩余的光阻部去除，以將柵極裸露在外。本發(fā)明能夠在去除硬化的光阻層的同時提高半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性能。
【技術(shù)領(lǐng)域】
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示面板的制作方法。
【背景技術(shù)】
目前普遍通過離子轟擊的方法使金屬氧化物半導(dǎo)體層導(dǎo)體化，對于柵極設(shè)于半導(dǎo)體層上的結(jié)構(gòu)，由于在制作過程中需要在柵極上制作光阻層，然后采用圖案化的光阻層對柵極進(jìn)行蝕刻，再對柵絕緣層進(jìn)行蝕刻，之后對半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化，然而由于對半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化的過程中，光阻層并未剝離，因此容易使得光阻層發(fā)生硬化，導(dǎo)致后續(xù)光阻層難以剝離；如果采用O2對光阻層進(jìn)行灰化處理(Ash)去硬化，又會導(dǎo)致半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性能降低。
【發(fā)明內(nèi)容】
本發(fā)明的目的在于提供一種顯示面板的制作方法，能夠去除硬化的光阻層的同時提高半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性能。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種顯示面板的制作方法，包括：
在襯底基板上依次制作半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一金屬層以及光阻部；所述半導(dǎo)體層的材料為金屬氧化物；
通過所述光阻部對所述第一金屬層和所述柵絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以形成柵極并且將未被所述光阻部覆蓋的半導(dǎo)體層裸露在外；
對所述裸露在外的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化處理，形成連接部以及在對所述裸露在外的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化處理的同時使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；
采用預(yù)設(shè)氣體對所述基底進(jìn)行處理，以將硬化的光阻部去除；所述預(yù)設(shè)氣體為含氟元素的特殊氣體；
將剩余的光阻部去除，以將所述柵極裸露在外。
本發(fā)明的顯示面板的制作方法，包括在襯底基板上依次制作半導(dǎo)體層、柵絕緣層、第一金屬層以及光阻部；通過所述光阻部對所述第一金屬層和所述柵絕緣層進(jìn)行圖案化處理，以形成柵極并且將未被所述光阻部覆蓋的半導(dǎo)體層裸露在外；對所述裸露在外的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化處理，形成連接部以及在對所述裸露在外的半導(dǎo)體層進(jìn)行導(dǎo)體化處理的同時使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；采用預(yù)設(shè)氣體對所述基底進(jìn)行處理，以將硬化的光阻部去除；將剩余的光阻部去除，以將柵極裸露在外；由于采用采用預(yù)設(shè)氣體將硬化的光阻部去除，避免半導(dǎo)體層與氧氣接觸，從而在去除硬化的光阻層的同時提高半導(dǎo)體層的導(dǎo)電性能。
【附圖說明】
圖1為現(xiàn)有顯示面板的制作方法的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明實施例一的顯示面板的制作方法的第一步至第四步的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖3為本發(fā)明實施例一的顯示面板的制作方法的第五步的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖4為本發(fā)明實施例二的顯示面板的制作方法的第一步的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5為本發(fā)明實施例二的顯示面板的制作方法的第二步的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖6為本發(fā)明實施例二的顯示面板的制作方法的第三步的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖7為本發(fā)明實施例二的顯示面板的制作方法的第四步的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖8為本發(fā)明實施例二的顯示面板的制作方法中第五步和第六步的結(jié)構(gòu)示意圖；
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
