[發明專利]一種顯示面板的制作方法

在審

• 申請號: 202010401779.3
• 申請日: 2020-05-13
• 公開（公告）號: CN111584506A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 鄧永
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 唐秀萍

1.一種顯示面板的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底基板上依次制作半導體層、柵絕緣層、第一金屬層以及光阻部；所述半導體層的材料為金屬氧化物；

通過所述光阻部對所述第一金屬層和所述柵絕緣層進行圖案化處理，以形成柵極并且將未被所述光阻部覆蓋的半導體層裸露在外；

對所述裸露在外的半導體層進行導體化處理，形成連接部以及在對所述裸露在外的半導體層進行導體化處理的同時使所述光阻部的外表面硬化，得到基底；

采用預設氣體對所述基底進行處理，以將硬化的光阻部去除；所述預設氣體為含氟元素的特殊氣體；

將剩余的光阻部去除，以將所述柵極裸露在外。

2.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述采用預設氣體對所述基底進行處理，以將硬化的光阻部去除的步驟包括：

采用預設氣體對所述基底進行等離子體處理。

3.根據權利要求2所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述預設氣體包括NF₃和CF₄中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述通過所述光阻部對所述第一金屬層和所述柵絕緣層進行圖案化處理，以形成柵極并且將未被所述光阻部覆蓋的半導體層裸露在外的步驟包括：

通過所述光阻部作為遮擋體對所述第一金屬層進行第一次蝕刻，以將所述未被所述光阻部覆蓋的第一金屬層去除，形成柵極；

通過所述光阻部作為遮擋體對所述柵絕緣層進行第二次蝕刻，以將位于所述柵極兩側的柵絕緣層去除，并使位于所述柵極兩側的半導體層裸露在外。

5.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述連接部以及所述柵極上依次制作第一絕緣層、源極和漏極，所述源極和所述漏極均與所述連接部連接。

6.根據權利要求5所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述源極和所述漏極上制作第二絕緣層，在所述第二絕緣層上制作像素電極。

7.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述在襯底基板上制作半導體層的步驟之前，所述方法還包括：

在襯底基板上制作遮光層，其中所述遮光層在所述襯底基板上的正投影的面積大于所述半導體層在所述襯底基板上的正投影的面積。

8.根據權利要求7所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，在襯底基板上制作遮光層的步驟之后，以及在所述襯底基板上制作半導體層的步驟之前，所述方法還包括：

在所述遮光層上制作緩沖層。

9.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述光阻部是通過以下步驟得到的：

在所述第一金屬層上制作光阻層，對所述光阻層進行圖案化處理，形成光阻部。

10.根據權利要求1所述的顯示面板的制作方法，其特征在于，所述半導體層的材料包括IGZO、IGZTO以及ITZO中的一種。