[發明專利]Micro-LED芯片的制備方法、結構及顯示終端

有效

• 申請號: 202010401581.5
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN111564536B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 郭向茹;周忠偉;常偉;毛林山;方榮虎;余龍江
• 申請（專利權）人: 創維液晶器件(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;H01L33/44
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 許峰

本發明公開了一種Micro?LED芯片的制備方法、結構及顯示設備，其中，所述Micro?LED芯片的制備方法包括以下步驟：在真空設備中制備一GaN基外延片；在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層；對所述ITO層的周緣進行遮擋后，對所述ITO層進行氧離子轟擊；將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極，制成Micro?LED芯片。本發明技術方案旨在降低Micro?LED芯片周緣漏電的幾率。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種Micro-LED芯片的制備方法、結構及顯示終端。

背景技術

Micro-LED(Micro-Light Emitting Diode，微型發光二極管)在顯示行業具有較大的應用前景，可制備大尺寸、超高清、節能以及具有優質的畫面顯示效果的顯示屏。Micro-LED芯片通常是在藍寶石上沉積GaN材料形成N型層及P型層，其中n-GaN材料的載流子濃度相對較高，相比之下p-GaN材料的載流子濃度相對較低，因此，摻雜了空穴的P-GaN材料的導電能力相對較弱，為提升P型層的導電性，需要在P型層上添加一層透明導電薄膜，通常為氧化銦嫁(ITO)。由于Micro-LED芯片尺寸較小，通常會低于40μm，因此在芯片的側邊容易產生漏電流，側邊懸空鍵會導致非輻射復合，電流擁堵效應和熱效應變弱，降低Microled芯片的發光效率。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種Micro-LED芯片的制備方法，旨在改善Micro-LED芯片易發生漏電現象且發光效率低的問題。

為實現上述目的，本發明實施例提供的Micro-LED芯片的制備方法，包括以下步驟：

在真空設備中制備一GaN基外延片；

在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層；

對所述ITO層的周緣進行遮擋后，對所述ITO層進行氧離子轟擊；

將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極，制成所述Micro-LED芯片。

可選地，所述對所述ITO層的周緣進行遮擋的步驟具體包括：

使用一中間鏤空的遮擋板對所述ITO層進行遮擋，所述遮擋板的外周緣與所述ITO層的外周緣相重合。

可選地，所述遮擋板于其中間部分形成有鏤空孔，所述鏤空孔的孔內壁至所述遮擋板的外周緣的距離范圍為2～6微米。

可選地，所述對所述ITO層進行氧離子轟擊的步驟包括：

向所述真空設備充入氧氣；

將所述真空設備內的氧氣電離成氧離子；

加速所述氧離子使其轟擊所述ITO層。

可選地，所述在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層的步驟之前，還包括：

獲取所述ITO層的預設沉積厚度；

根據一修正值調整所述預設沉積厚度形成新的沉積厚度。

可選地，所述修正值為所述預設沉積厚度的8％-12％。

可選地，所述在真空設備中制備一GaN基外延片的步驟包括：

在一襯底上依次沉積形成過渡層、N型層、有源層及P型層；

完成GaN基外延片的制備。

可選地，所述對所述ITO層進行氧離子轟擊的步驟之后，所述將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極的步驟之前，還包括：

對所述GaN基外延片和轟擊后的ITO層進行退火處理。