[發明專利]Micro-LED芯片的制備方法、結構及顯示終端

有效

• 申請號: 202010401581.5
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN111564536B
• 公開（公告）日: 2021-11-05
• 發明（設計）人: 郭向茹;周忠偉;常偉;毛林山;方榮虎;余龍江
• 申請（專利權）人: 創維液晶器件(深圳)有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/32;H01L33/44
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 許峰

1.一種Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在真空設備中制備一GaN基外延片，所述GaN基外延片包括P型層；

在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層，所述ITO層的周緣與所述P型層的周緣相平齊；

對所述ITO層的周緣進行遮擋后，對所述ITO層進行氧離子轟擊，以使氧離子直接注入ITO層內，增加ITO層內的氧離子數量；

將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極，制成Micro-LED芯片；

所述在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層的步驟之前，還包括：

獲取所述ITO層的預設沉積厚度；

根據一修正值調整所述預設沉積厚度形成新的沉積厚度；

在所述對所述ITO層進行氧離子轟擊的步驟之后，所述將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極的步驟之前，還包括：

對所述GaN基外延片和轟擊后的ITO層進行退火處理。

2.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述對所述ITO層的周緣進行遮擋的步驟具體包括：

使用一中間鏤空的遮擋板對所述ITO層進行遮擋，所述遮擋板的外周緣與所述ITO層的外周緣相重合。

3.如權利要求2所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述遮擋板于其中間部分形成有鏤空孔，所述鏤空孔的孔內壁至所述遮擋板的外周緣的距離范圍為2-6微米。

4.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述對所述ITO層進行氧離子轟擊的步驟包括：

向所述真空設備充入氧氣；

將所述真空設備內的氧氣電離成氧離子；

加速所述氧離子使其轟擊所述ITO層。

5.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述修正值為所述預設沉積厚度的8％-12％。

6.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述在真空設備中制備一GaN基外延片的步驟包括：

在一襯底上依次沉積形成過渡層、N型層、有源層及P型層；

完成GaN基外延片的制備。

7.一種Micro-LED芯片結構，其特征在于，所述Micro-LED芯片結構由上述權利要求1至6中任一項所述的Micro-LED芯片的制備方法制得。

8.一種顯示終端，其特征在于，包括顯示屏和與所述顯示屏通訊連接的Micro-LED芯片結構，所述Micro-LED芯片結構為權利要求1至6任一所述Micro-LED芯片的制備方法制得。