[發明專利]Micro-LED芯片的制備方法、結構及顯示終端有效
| 申請號： | 202010401581.5 | 申請日： | 2020-05-12 |
| 公開（公告）號： | CN111564536B | 公開（公告）日： | 2021-11-05 |
| 發明（設計）人： | 郭向茹;周忠偉;常偉;毛林山;方榮虎;余龍江 | 申請（專利權）人： | 創維液晶器件(深圳)有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/32;H01L33/44 |
| 代理公司： | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人： | 許峰 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳市寶安區石巖街道塘*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | micro led 芯片 制備 方法 結構 顯示 終端 | ||
1.一種Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在真空設備中制備一GaN基外延片，所述GaN基外延片包括P型層；
在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層，所述ITO層的周緣與所述P型層的周緣相平齊；
對所述ITO層的周緣進行遮擋后，對所述ITO層進行氧離子轟擊，以使氧離子直接注入ITO層內，增加ITO層內的氧離子數量；
將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極，制成Micro-LED芯片；
所述在所述GaN基外延片的表面沉積ITO層的步驟之前，還包括：
獲取所述ITO層的預設沉積厚度；
根據一修正值調整所述預設沉積厚度形成新的沉積厚度；
在所述對所述ITO層進行氧離子轟擊的步驟之后，所述將經過氧離子轟擊后的ITO層連接第一電極，所述GaN基外延片連接第二電極的步驟之前，還包括：
對所述GaN基外延片和轟擊后的ITO層進行退火處理。
2.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述對所述ITO層的周緣進行遮擋的步驟具體包括：
使用一中間鏤空的遮擋板對所述ITO層進行遮擋，所述遮擋板的外周緣與所述ITO層的外周緣相重合。
3.如權利要求2所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述遮擋板于其中間部分形成有鏤空孔，所述鏤空孔的孔內壁至所述遮擋板的外周緣的距離范圍為2-6微米。
4.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述對所述ITO層進行氧離子轟擊的步驟包括：
向所述真空設備充入氧氣；
將所述真空設備內的氧氣電離成氧離子；
加速所述氧離子使其轟擊所述ITO層。
5.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述修正值為所述預設沉積厚度的8％-12％。
6.如權利要求1所述的Micro-LED芯片的制備方法，其特征在于，所述在真空設備中制備一GaN基外延片的步驟包括：
在一襯底上依次沉積形成過渡層、N型層、有源層及P型層；
完成GaN基外延片的制備。
7.一種Micro-LED芯片結構，其特征在于，所述Micro-LED芯片結構由上述權利要求1至6中任一項所述的Micro-LED芯片的制備方法制得。
8.一種顯示終端，其特征在于，包括顯示屏和與所述顯示屏通訊連接的Micro-LED芯片結構，所述Micro-LED芯片結構為權利要求1至6任一所述Micro-LED芯片的制備方法制得。
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