[發明專利]接觸孔的刻蝕方法及接觸孔刻蝕結構在審
| 申請號： | 202010401268.1 | 申請日： | 2020-05-13 |
| 公開（公告）號： | CN111653476A | 公開（公告）日： | 2020-09-11 |
| 發明（設計）人： | 劉俊 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311;H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 欒美潔 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 接觸 刻蝕 方法 結構 | ||
1.一種接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1，在半導體襯底上形成層間膜，所述層間膜的主要成分為二氧化硅；
步驟S2，采用光刻工藝定義出多晶硅柵上接觸孔的形成區域和有源區上接觸孔的形成區域；
步驟S3，采用二氧化硅對多晶硅高刻蝕選擇比的刻蝕工藝對所述層間膜進行第一次刻蝕直至多晶硅柵的頂面露出停止；
步驟S4，采用多晶硅對二氧化硅高刻蝕選擇比的刻蝕工藝進行第二次刻蝕，對所述多晶硅柵進行設定深度的刻蝕；
步驟S5，采用二氧化硅對多晶硅高刻蝕選擇比的刻蝕工藝對所述層間膜進行第三次刻蝕直至有源區的頂面露出停止。
2.根據權利要求1所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，在步驟S4中，多晶硅對二氧化硅的刻蝕選擇比大于10:1。
3.根據權利要求1所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，在步驟S3中，二氧化硅對多晶硅的刻蝕選擇比大于10:1。
4.根據權利要求1所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，在步驟S5中，二氧化硅對多晶硅的刻蝕選擇比大于10:1。
5.根據權利要求1所述的接觸孔的刻蝕方法，其特征在于，在步驟S4中，對多晶硅柵的刻蝕深度為100?！?000埃。
6.一種接觸孔刻蝕結構，其特征在于，包括有源區上接觸孔和多晶硅柵上接觸孔，所述多晶硅柵上接觸孔的底面位于多晶硅柵的內部，所述有源區上接觸孔的底面與有源區的表面重合。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
