[發(fā)明專利]可變電阻存儲(chǔ)器裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010399732.8
• 申請(qǐng)日: 2020-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN112310280A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白晙煥;樸勇振;梁辰旭;吳圭煥;鄭智允
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L45/00
• 分類號(hào): H01L45/00
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

提供了一種可變電阻存儲(chǔ)器裝置，所述可變電阻存儲(chǔ)器裝置包括：第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，在基底上具有位于其中的絕熱線；可變電阻圖案，接觸第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的上表面；低電阻圖案，接觸可變電阻圖案的上表面；選擇結(jié)構(gòu)，位于低電阻圖案上；以及第二導(dǎo)線，位于選擇結(jié)構(gòu)上。

于2019年7月23日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交且名稱為“可變電阻存儲(chǔ)器裝置和制造可變電阻存儲(chǔ)器裝置的方法”的第10-2019-0088777號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)通過(guò)引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

實(shí)施例涉及一種可變電阻存儲(chǔ)器裝置以及一種制造該可變電阻存儲(chǔ)器裝置的方法。

背景技術(shù)

在制造PRAM裝置的方法中，可以通過(guò)鑲嵌工藝形成下電極、可變電阻圖案和/或上電極，并且其中可以形成下電極、可變電阻圖案和/或上電極的模制件的高寬比會(huì)增大。

發(fā)明內(nèi)容

實(shí)施例可以通過(guò)提供一種可變電阻存儲(chǔ)器裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述可變電阻存儲(chǔ)器裝置包括：第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，位于基底上，第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)具有位于其中的絕熱線；至少一個(gè)可變電阻圖案，接觸第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的上表面；低電阻圖案，接觸所述至少一個(gè)可變電阻圖案的上表面；選擇結(jié)構(gòu)，位于低電阻圖案上；以及第二導(dǎo)線，位于選擇結(jié)構(gòu)上。

實(shí)施例可以通過(guò)提供一種可變電阻存儲(chǔ)器裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述可變電阻存儲(chǔ)器裝置包括：第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，位于基底上，第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸；可變電阻圖案，在第一方向上彼此間隔開，可變電阻圖案中的每個(gè)接觸第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的上表面；模制件和填充結(jié)構(gòu)，位于第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上，模制件和填充結(jié)構(gòu)在第一方向上交替地布置在可變電阻圖案中的相鄰的可變電阻圖案之間的相應(yīng)空間中；蝕刻停止圖案，位于模制件上；低電阻圖案，接觸可變電阻圖案中的相應(yīng)的可變電阻圖案的上表面；以及選擇結(jié)構(gòu)，位于低電阻圖案上。

實(shí)施例可以通過(guò)提供一種可變電阻存儲(chǔ)器裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述可變電阻存儲(chǔ)器裝置包括：第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，在基底上沿第二方向彼此間隔開，每個(gè)第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)沿第一方向延伸，第一方向和第二方向中的每個(gè)基本平行于基底的上表面，并且第一方向與第二方向交叉；第二導(dǎo)線，在第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上沿第一方向彼此間隔開，每條第二導(dǎo)線沿第二方向延伸；可變電阻圖案，在第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)和第二導(dǎo)線沿基本垂直于基底的上表面的第三方向彼此疊置的相應(yīng)區(qū)域處位于第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)與第二導(dǎo)線之間，可變電阻圖案分別接觸第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)的上表面；填充結(jié)構(gòu)，包括在基底上在第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)之間沿第一方向延伸的第一部分和在第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上從第一部分沿第二方向延伸的第二部分，第一部分接觸可變電阻圖案的在第二方向上的相對(duì)側(cè)壁中的每個(gè)，每個(gè)第二部分接觸可變電阻圖案中的對(duì)應(yīng)的可變電阻圖案的在第一方向上的側(cè)壁；模制件，位于每個(gè)第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上，每個(gè)模制件接觸可變電阻圖案中的對(duì)應(yīng)的可變電阻圖案的在第一方向上的側(cè)壁，并且所述側(cè)壁不接觸每個(gè)第二部分；低電阻圖案，接觸每個(gè)可變電阻圖案的上表面；以及選擇結(jié)構(gòu)，位于低電阻圖案上，其中，每個(gè)第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)包括在第三方向上位于第一導(dǎo)線之間的絕熱線，并且其中，選擇結(jié)構(gòu)包括在第三方向上順序地堆疊的第一緩沖件、選擇圖案和第二緩沖件。

實(shí)施例可以通過(guò)提供一種制造可變電阻存儲(chǔ)器裝置的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，所述方法包括：在基底上形成第一導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)；在第一導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)上形成間隔線、模制線和第一填充線，間隔線在基本平行于基底的上表面的第一方向上彼此間隔開，并且模制線和第一填充線沿第一方向在間隔線之間的相應(yīng)的空間中交替地布置；使間隔線、第一填充線、模制線和第一導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)圖案化以分別形成間隔圖案、第一填充圖案、模制件和第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)，第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)在基本平行于基底的上表面并與第一方向交叉的第二方向上彼此間隔開，每個(gè)第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)在第一方向上延伸，并且每個(gè)第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)以及位于每個(gè)第一導(dǎo)線結(jié)構(gòu)上的間隔圖案、第一填充圖案和模制件形成第一堆疊結(jié)構(gòu)；在基底上沿第二方向在第一堆疊結(jié)構(gòu)的相鄰的第一堆疊結(jié)構(gòu)之間形成第二填充線；用可變電阻圖案分別代替間隔圖案；以及在每個(gè)可變電阻圖案上形成順序地堆疊的低電阻圖案和選擇圖案。