[發(fā)明專利]可變電阻存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010399732.8
• 申請日: 2020-05-12
• 公開（公告）號: CN112310280A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發(fā)明（設計）人: 白晙煥;樸勇振;梁辰旭;吳圭煥;鄭智允
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

1.一種可變電阻存儲器裝置，所述可變電阻存儲器裝置包括：

第一導線結構，位于基底上，第一導線結構具有位于其中的絕熱線；

至少一個可變電阻圖案，接觸第一導線結構的上表面；

低電阻圖案，接觸所述至少一個可變電阻圖案的上表面；

選擇結構，位于低電阻圖案上；以及

第二導線，位于選擇結構上。

2.根據(jù)權利要求1所述的可變電阻存儲器裝置，其中：

第一導線結構包括位于第一導線之間的所述絕熱線，

第一導線具有比所述至少一個可變電阻圖案的電阻低的電阻，

絕熱線具有比第一導線的熱導率低的熱導率，并且

所述至少一個可變電阻圖案接觸第一導線的上表面。

3.根據(jù)權利要求2所述的可變電阻存儲器裝置，其中：

第一導線包括金屬，并且

絕熱線包括碳、碳化合物或含碳金屬。

4.根據(jù)權利要求1所述的可變電阻存儲器裝置，其中，低電阻圖案包括金屬。

5.根據(jù)權利要求1所述的可變電阻存儲器裝置，其中，選擇結構包括順序地堆疊的第一緩沖件、選擇圖案和第二緩沖件。

6.根據(jù)權利要求5所述的可變電阻存儲器裝置，其中：

第一緩沖件具有比低電阻圖案的熱導率低的熱導率，并且

第一緩沖件的底表面接觸低電阻圖案的上表面。

7.根據(jù)權利要求6所述的可變電阻存儲器裝置，其中，第一緩沖件和第二緩沖件中的每個包括碳、碳化合物或含碳金屬。

8.根據(jù)權利要求5所述的可變電阻存儲器裝置，其中，選擇圖案包括包含鍺、硅、砷或碲的OTS材料。

9.根據(jù)權利要求5所述的可變電阻存儲器裝置，其中，選擇圖案包括AsTeGeSiIn、GeTe、SnTe、GeSe、SnSe、AsTeGeSiSbS、AsTeGeSiInP、AsTeGeSi、As₂Te₃Ge、As₂Se₃Ge、As₂₅(Te₉₀Ge₁₀)₇₅、Te₄₀As₃₅Si₁₈Ge_6.75In_0.25、Te₂₈As_34.5Ge_15.5S₂₂、Te₃₉As₃₆Si₁₇Ge₇P、As₁₀Te₂₁S₂Ge₁₅Se₅₀Sb₂、Si₅Te₃₄As₂₈Ge₁₁S₂₁Se₁、AsTeGeSiSeNS、AsTeGeSiP、AsSe、AsGeSe、AsTeGeSe、ZnTe、GeTePb、GeSeTe、AlAsTe、SeAsGeC、SeTeGeSi、GeSbTeSe、GeBiTeSe、GeAsSbSe、GeAsBiTe、GeAsBiSe、或Ge_xSe_1-x，其中，0x1。

10.根據(jù)權利要求1所述的可變電阻存儲器裝置，其中：

第一導線結構在基本平行于基底的上表面的第一方向上延伸，

所述至少一個可變電阻圖案包括在第一導線結構上在第一方向上彼此間隔開的多個可變電阻圖案，并且

第二導線在基本平行于基底的上表面并且與第一方向交叉的第二方向上延伸。