[發(fā)明專利]研磨模具和石英晶片的研磨方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010395714.2
• 申請(qǐng)日: 2020-05-12
• 公開（公告）號(hào): CN111438630A
• 公開（公告）日: 2020-07-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 符清銘;虞亞軍;李慶躍;駱紅莉;郭雄偉;黃文俊;林土全
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東晶電子金華有限公司
• 主分類號(hào): B24B37/10
• 分類號(hào): B24B37/10;B24B37/30;B24B37/04
• 代理公司: 北京友聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11343
• 代理人: 汪海屏;王淑梅

1.一種研磨模具，其特征在于，所述研磨模具用于研磨石英晶片，所述研磨模具包括：

第一模板，所述第一模板上設(shè)置有安裝孔，所述安裝孔與所述石英晶片相適配；

第二模板，所述第二模板包括本體和安裝塊，所述本體與所述第一模板相貼合，所述安裝塊設(shè)置于所述本體上，并嵌于所述安裝孔內(nèi)；

其中，所述安裝塊的高度小于所述安裝孔的高度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨模具，其特征在于，還包括：

驅(qū)動(dòng)套，所述驅(qū)動(dòng)套連接于所述第一模板和/或所述第二模板上，以帶動(dòng)所述第一模板和所述第二模板轉(zhuǎn)動(dòng)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨模具，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)套包括：

驅(qū)動(dòng)環(huán)，所述驅(qū)動(dòng)環(huán)卡接于所述第一模板和/或所述第二模板上；

多個(gè)齒，所述多個(gè)齒設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)環(huán)外壁上，沿所述驅(qū)動(dòng)環(huán)的周向設(shè)置。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨模具，其特征在于，

所述第一模板包括第一排料孔，所述第一排料孔沿所述安裝孔的周向設(shè)置；

所述第二模板包括第二排料孔，所述第二排料孔設(shè)置于所述本體上，沿所述安裝塊的周向設(shè)置；

所述第一排料孔與所述第二排料孔相連通。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的研磨模具，其特征在于，

所述第一模板的一側(cè)設(shè)置有定位槽，所述本體嵌于所述定位槽內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨模具，其特征在于，

所述驅(qū)動(dòng)套的內(nèi)壁上設(shè)置有凸起；

所述定位槽的側(cè)壁上設(shè)置有缺口；

所述本體的側(cè)壁上設(shè)置有卡槽；

其中，所述凸起穿過所述缺口后嵌于所述卡槽內(nèi)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的研磨模具，其特征在于，

所述本體的厚度小于所述定位槽的深度；

所述安裝塊的高度與所述安裝孔的高度之差等于石英晶片的預(yù)設(shè)厚度。

8.一種石英晶片的研磨方法，其特征在于，通過如上述權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的研磨模具研磨所述石英晶片，所述石英晶片的研磨方法包括：

調(diào)整安裝塊的高度與安裝孔的高度的差值為第一預(yù)設(shè)值；

第一次研磨石英晶片；

調(diào)整安裝塊的高度與安裝孔的高度的差值為第二預(yù)設(shè)值；

第二次研磨石英晶片；

調(diào)整安裝塊的高度與安裝孔的高度的差值為第三預(yù)設(shè)值；

第三次研磨石英晶片，以將石英晶片研磨至預(yù)設(shè)厚度值；

其中，所述第一預(yù)設(shè)值大于所述第二預(yù)設(shè)值，所述第二預(yù)設(shè)值大于所述第三預(yù)設(shè)值，所述第三預(yù)設(shè)值等于所述預(yù)設(shè)厚度值。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的石英晶片的研磨方法，其特征在于，所述研磨石英晶片包括：

將石英晶片放置在安裝孔內(nèi)；

驅(qū)動(dòng)研磨模具轉(zhuǎn)動(dòng)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的石英晶片的研磨方法，其特征在于，在所述第三次研磨石英晶片至預(yù)設(shè)厚度值之后，所述石英晶片的研磨方法還包括：

記錄研磨模具的使用次數(shù)；

當(dāng)所述使用次數(shù)達(dá)到預(yù)設(shè)次數(shù)時(shí)，檢修所述研磨模具。