[發(fā)明專利]一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010393315.2 | 申請日: | 2020-05-11 |
| 公開(公告)號: | CN111555615B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 奚冬杰;徐晴昊;李現(xiàn)坤 | 申請(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團公司第五十八研究所 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158 |
| 代理公司: | 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340 | 代理人: | 楊立秋 |
| 地址: | 214000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 適用于 升降 變換器 頻率 調(diào)節(jié) 電路 | ||
本發(fā)明公開一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路,屬于電子模擬電路技術(shù)領(lǐng)域。所述適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路包括NMOS管MN1~MN4、PMOS管MP1~MP4、三極管NPN1~NPN4、電阻R1~R4、二極管D1、電流源I1~I4、運算放大器AMP1和比較器COMP1。本發(fā)明電路針對輸入具有瞬時尖峰的應(yīng)用場合,無需為增加功率管導(dǎo)通時間而將芯片工作頻率設(shè)置過低,滿足電流檢測延時對功率管最小導(dǎo)通時間要求;從而可避免大尺寸外圍器件的使用,最終降低設(shè)計成本。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及電子模擬電路技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路。
背景技術(shù)
在功率開關(guān)控制電路中,升降壓變換器由于具有電路結(jié)構(gòu)簡單、效率高、易于控制和輸入輸出電壓可實現(xiàn)任意組合等優(yōu)勢而得到廣泛應(yīng)用。傳統(tǒng)升降壓變換器電路架構(gòu)如圖1所示。PWM為控制邏輯電平,其控制功率管MN1周期性的開啟和關(guān)閉。D1為反向續(xù)流二極管。MN1開啟時,D1關(guān)斷,外部輸入VIN向電感L1充電。MN1關(guān)閉時,D1開啟且反向續(xù)流從輸出濾波電容COUT上抽取電流,因此最終輸出VOUT-為負壓。
通常為提升芯片動態(tài)響應(yīng)性能,升降壓變換器采用峰值電流模式進行整體環(huán)路控制,以維持輸出電壓穩(wěn)定。在功率管MN1每個開啟周期內(nèi),需檢測電感電流值,當(dāng)其上升至設(shè)定值時要求立刻關(guān)斷功率管MN1,直至下個時鐘周期到來后再重新開啟。圖1中比較器AMP0起電流檢測作用,在MN1開啟階段,隨著電感內(nèi)電流上升其正負端壓差逐漸增大,當(dāng)電感電流上升至設(shè)定值時AMP0即輸出高電平立刻關(guān)斷MN1,等待下一個時鐘周期到來后在重新開啟MN1??紤]電路內(nèi)各節(jié)點傳輸延時,如需保證電流檢測功能正常實現(xiàn),以控制環(huán)路,穩(wěn)定電路輸出。則要求功率管MN1最小導(dǎo)通時間大于電流檢測比較器AMP0延時。
傳統(tǒng)升降壓變換器在某一固定應(yīng)用下,如外圍器件參數(shù)已確定,則其工作頻率(fSW)為固定值。此時對某一組確定輸入VIN和輸出VOUT-,在每個開關(guān)周期內(nèi)其導(dǎo)通時間(TON)為:
由以上分析可知傳統(tǒng)升降壓變換器當(dāng)其輸入VIN遠大于輸出VOUT-時,在每個開關(guān)周期內(nèi)功率管MN1導(dǎo)通時間會很小,最終導(dǎo)通時間TON不滿足電流檢測比較器延時要求,電流檢測功能無法正常實現(xiàn),無法控制環(huán)路以穩(wěn)定輸出電壓。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路,以解決傳統(tǒng)升降壓變換器具有工作頻率與輸入輸出電壓無關(guān)特性,當(dāng)其工作于最大輸入和最小輸出情況下時,功率管最小導(dǎo)通時間無法滿足電流檢測延時要求、從而導(dǎo)致芯片無法正常工作,環(huán)路不受控制,輸出存在不穩(wěn)定的問題。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路,包括NMOS管MN1~MN4、PMOS管MP1~MP4、三極管NPN1~NPN4、電阻R1~R4、二極管D1、電流源I1~I4、運算放大器AMP1和比較器COMP1;其中,
NMOS管MN1漏端接三極管NPN1基極,柵端接NMOS管MN4柵端,源端接輸出端VOUT-;NMOS管MN2漏端接電阻R3第一端,柵端接比較器COMP1輸出端,源端接第二電阻R2第一端;NMOS管MN3漏端接PMOS管MP3漏端,柵端接運算放大器AMP1輸出端,源端接電阻R4第一端;NMOS管MN4漏端接PMOS管MP4漏端,柵端接PMOS管MP4漏端,源端接輸出端VOUT-;
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