[發(fā)明專利]一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010393315.2
• 申請日: 2020-05-11
• 公開（公告）號: CN111555615B
• 公開（公告）日: 2021-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奚冬杰;徐晴昊;李現(xiàn)坤
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H02M3/158
• 分類號: H02M3/158
• 代理公司: 無錫派爾特知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32340
• 代理人: 楊立秋

1.一種適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路，其特征在于，包括NMOS管MN1～MN4、PMOS管MP1～MP4、三極管NPN1～NPN4、電阻R1～R4、二極管D1、電流源I1～I4、運算放大器AMP1和比較器COMP1；其中，

NMOS管MN1漏端接三極管NPN1基極，柵端接NMOS管MN4柵端，源端接輸出端V_OUT-；NMOS管MN2漏端接電阻R3第一端，柵端接比較器COMP1輸出端，源端接第二電阻R2第一端；NMOS管MN3漏端接PMOS管MP3漏端，柵端接運算放大器AMP1輸出端，源端接電阻R4第一端；NMOS管MN4漏端接PMOS管MP4漏端，柵端接PMOS管MP4漏端，源端接輸出端V_OUT-；

PMOS管MP1漏端接其柵端，柵端接三極管NPN4集電極，源端接輸入端V_IN；PMOS管MP2漏端接電阻R1第一端，柵端接PMOS管MP1柵端，源端接輸入端V_IN；PMOS管MP3漏端接NMOS管MN3漏端，柵端接PMOS管MP4柵端，源端接輸入端V_IN；PMOS管MP4漏端接NMOS管MN4柵端，柵端接PMOS管MP3柵端，源端接輸入端V_IN；

三極管NPN1集電極接電流源I1負(fù)端，基極接NMOS管MN1漏端，發(fā)射極接輸出端V_OUT-；三極管NPN2集電極接輸入端V_IN，基極接電流源I2負(fù)端，發(fā)射極接NMOS管MN1漏端；三極管NPN3集電極接輸入端V_IN，基極接NPN三極管NPN2基極，發(fā)射極接電流源I4正端；三極管NPN4集電極接PMOS管MP1漏端，基極接電流源I4正端，發(fā)射極接輸出端V_OUT-；

電阻R1第一端接PMOS管MP2漏端，第二端接輸出端V_OUT-；電阻R2第一端接NMOS管MN2源端，第二端接輸出端V_OUT-；電阻R3第一端接NMOS管MN2漏端，第二端接輸出端V_OUT-；電阻R4第一端接NMOS管MN3源端，第二端接輸出端V_OUT-；

電流源I1～I3正端均接輸入端V_IN；電流源I1負(fù)端接三極管NPN1集電極，電流源I2負(fù)端接三極管NPN2基極，電流源I3負(fù)端接電阻R3第一端；電流源I4正端接三極管NPN3發(fā)射極，負(fù)端接輸出端V_OUT-；

二極管D1正端接三極管NPN2基極，負(fù)端接三極管NPN1集電極；運算放大器AMP1正輸入端接NMOS管MN2漏端，負(fù)輸入端接NMOS管MN3源端，輸出端接NMOS管MN3柵端；比較器COMP1正輸入端接PMOS管MP2漏端，負(fù)輸入端接參考電壓VREF1，輸出端接NMOS管MN2柵端。

2.如權(quán)利要求1所述的適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述電流源I4包括運算放大器AMP2、PMOS管MP11和MP12、NMOS管MN11以及電阻R11；

PMOS管MP11源端接輸入端V_IN，漏端接NMOS管MN11漏端，柵端接PMOS管MP12柵端；PMOS管MP12源端接輸入端V_IN，漏端接自身柵端；

NMOS管MN11柵端接運算放大器AMP2輸出端，源端通過電阻R11接輸出端V_OUT-；

運算放大器AMP2正輸入端接地GND，負(fù)輸入端接NMOS管MN11源端。

3.如權(quán)利要求1所述的適用于升降壓變換器的頻率調(diào)節(jié)電路，其特征在于，所述電流源I1包括運算放大器AMP3、PMOS管MP21和MP22、NMOS管MN21以及電阻R21；

PMOS管MP21源端接輸入端V_IN，漏端接NMOS管MN21漏端，柵端接PMOS管MP22柵端；PMOS管MP22源端接輸入端V_IN，漏端接自身柵端；

NMOS管MN21柵端接運算放大器AMP3輸出端，源端通過電阻R21接輸出端V_OUT-；

運算放大器AMP3正輸入端接輸入端V_IN，負(fù)輸入端接NMOS管MN21源端。