[發(fā)明專利]R-T-B系永久磁體的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010390410.7 | 申請(qǐng)日: | 2020-05-11 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112038080B | 公開(公告)日: | 2023-09-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 增澤清幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TDK株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01F41/02 | 分類號(hào): | H01F41/02 |
| 代理公司: | 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 永久 磁體 制造 方法 | ||
本發(fā)明的永久磁體的制造方法使用含有重稀土元素和粘合劑的擴(kuò)散材料片(4)。該永久磁體的制造方法包括:附著工序,使溶劑附著在磁體基材(2)和擴(kuò)散材料片(4)中至少一者的表面;覆蓋工序,以在附著有溶劑的表面使擴(kuò)散材料片(4)與磁體基材(2)接觸的方式,用擴(kuò)散材料片(4)覆蓋磁體基材(2)的表面的至少一部分;擴(kuò)散工序,在覆蓋工序后,通過加熱擴(kuò)散材料片(4)和磁體基材(2),使重稀土元素向磁體基材(2)內(nèi)擴(kuò)散。磁體基材(2)含有稀土元素R、過渡金屬元素T和硼。至少一部分的稀土元素R為釹。至少一部分的過渡金屬元素T為鐵。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種R-T-B系永久磁體的制造方法。
背景技術(shù)
含有稀土元素R(釹等)、過渡金屬元素T(鐵等)和硼B(yǎng)的R-T-B系永久磁體具有優(yōu)異的磁特性。通常采用剩磁通密度Br(剩余磁化)和矯頑力HcJ作為表示R-T-B系永久磁體的磁特性的指標(biāo)。
R-T-B系永久磁體是成核(nucleation)型永久磁體。通過對(duì)成核型永久磁體施加與磁化方向相反的磁場(chǎng),容易在構(gòu)成永久磁體的多數(shù)晶粒(主相顆粒)的晶界附近產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)的核。由于該磁化反轉(zhuǎn)的核,永久磁體的矯頑力減少。另外,R-T-B系永久磁體的矯頑力隨著溫度上升而減少。對(duì)于電動(dòng)機(jī)或發(fā)電機(jī)等中使用的R-T-B系永久磁體,要求即使在高溫的環(huán)境下也具有高的矯頑力。
為了提高R-T-B系永久磁體的矯頑力,向R-T-B系永久磁體添加鏑等重稀土元素。由于添加重稀土元素,各向異性磁場(chǎng)提高,難以產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)核,因此,矯頑力增加。近年來(lái),為了以更少量的重稀土元素得到高的矯頑力,利用晶界擴(kuò)散法。晶界擴(kuò)散法中,使重稀土元素從磁體表面沿著晶界擴(kuò)散。結(jié)果,各向異性磁場(chǎng)容易在晶界附近局部變大,難以在晶界附近產(chǎn)生磁化反轉(zhuǎn)的核,從而矯頑力增加。
例如,國(guó)際公開第2016/093173號(hào)小冊(cè)子所記載的R-T-B系永久磁體的制造方法中,使用含有重稀土元素的化合物(氟化物和/或氟氧化物)和樹脂成分的片材(成型體)。國(guó)際公開第2016/093174號(hào)小冊(cè)子所記載的R-T-B系永久磁體的制造方法中,使用含有重稀土元素的氧化物和樹脂成分的片材(成型體)。在片材配置在磁體基材的表面的狀態(tài)下,通過以燒結(jié)溫度以下的溫度加熱磁體基材,片材中的重稀土元素向燒結(jié)體內(nèi)擴(kuò)散。以下記載的“擴(kuò)散材料”是指至少含有重稀土元素的化學(xué)物質(zhì)。以下記載的“擴(kuò)散材料片”是指含有重稀土元素(擴(kuò)散材料)和樹脂成分(粘合劑)的片材。以下記載的“專利文獻(xiàn)1”是指國(guó)際公開第2016/093173號(hào)小冊(cè)子。以下記載的“專利文獻(xiàn)2”是指國(guó)際公開第2016/093174號(hào)小冊(cè)子。
發(fā)明內(nèi)容
在擴(kuò)散材料片配置于磁體基材的表面的情況下,擴(kuò)散材料片難以與磁體基材的表面均勻地緊密貼合,擴(kuò)散材料片與磁體基材的表面之間容易形成間隙。另外,隨著對(duì)重疊有擴(kuò)散材料片的磁體基材的處理,擴(kuò)散材料片的位置會(huì)從規(guī)定的位置偏移,或擴(kuò)散材料片會(huì)從磁體基材的表面剝離。由于這些問題,擴(kuò)散材料片中的重稀土元素難以向磁體基材的表面均勻地?cái)U(kuò)散。結(jié)果,R-T-B系永久磁體的組成和磁特性產(chǎn)生偏差,R-T-B系永久磁體的矯頑力不能充分地提高。上述問題在磁體基材的表面為曲面時(shí)顯著。
上述專利文獻(xiàn)1和2所記載的制造方法中,用擴(kuò)散材料片覆蓋磁體基材的表面后,將溶劑(例如乙醇)從擴(kuò)散材料片的上方向擴(kuò)散材料片進(jìn)行噴霧。即,將溶劑噴霧在不與磁體基材的表面接觸的擴(kuò)散材料片的表面。結(jié)果,擴(kuò)散材料片中的部分粘合劑溶解,從而擴(kuò)散材料片緊密貼合在磁體基材的表面。因此,擴(kuò)散材料片和磁體基材的處理變得容易。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于TDK株式會(huì)社,未經(jīng)TDK株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010390410.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 揚(yáng)聲器裝置以及具有該揚(yáng)聲器裝置的電子儀器
- 永久磁鐵、用于馬達(dá)的轉(zhuǎn)子或定子、旋轉(zhuǎn)電機(jī)
- 無(wú)能耗發(fā)電機(jī)
- 永久磁體轉(zhuǎn)子和組裝該永久磁體轉(zhuǎn)子的方法
- 永久開關(guān)控制系統(tǒng)、超導(dǎo)磁體設(shè)備及控制永久開關(guān)的方法
- 磁力震動(dòng)發(fā)電裝置
- 一種連鑄中間包永久層及含有該永久層的連鑄中間包
- 磁力減振式振動(dòng)發(fā)電裝置
- 臨時(shí)基坑支護(hù)和永久邊坡支護(hù)相結(jié)合的支護(hù)系統(tǒng)、方法
- 永久磁體
- 氫燃料制造系統(tǒng)、氫燃料制造方法以及氫燃料制造程序
- 單元控制系統(tǒng)、生產(chǎn)系統(tǒng)以及控制方法
- 制造裝置及制造方法以及制造系統(tǒng)
- 一種三相異步電動(dòng)機(jī)制造工藝方法
- 制造設(shè)備、制造裝置和制造方法
- 用于監(jiān)測(cè)光學(xué)鏡片制造過程的方法
- 產(chǎn)品的制造系統(tǒng)、惡意軟件檢測(cè)系統(tǒng)、產(chǎn)品的制造方法以及惡意軟件檢測(cè)方法
- 一種面向制造服務(wù)的制造能力評(píng)估方法
- 一種基于云制造資源的制造能力建模方法
- 制造設(shè)備系統(tǒng)、制造設(shè)備以及制造方法
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





